REDRESSEUR RAPIDE de RÉCUPÉRATION de récupération de RS1M-13-F de redresseur de BÂTI EXTÉRIEUR rapide de la diode 1.0A
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
REDRESSEUR RAPIDE de RÉCUPÉRATION de récupération de RS1M-13-F de redresseur de BÂTI EXTÉRIEUR rapide de la diode 1.0A
Caractéristiques
- ? De verre passivés meurent construction ?
- Temps de rétablissement rapide pour le rendement élevé ?
- Température de surcharge de montée subite à la crête 30A ?
- Dans le meilleur des cas adapté à l'Assemblée automatisée ?
- Finition sans plomb/RoHS conforme
Données mécaniques
Cas : SMA/SMB ?
Matériel de cas : Plastique moulé. Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0 ?
Sensibilité d'humidité : De niveau 1 par J-STD-020C ?
Terminaux : Électrodéposition sans plomb (Matte Tin Finish). Solderable par MIL-STD-202, méthode 208 ?
Polarité : Bande de cathode ou entaille de cathode ?
Poids de SMA : 0,064 grammes (d'approximatif) ?
Poids de SMB : 0,093 grammes (d'approximatif)
Estimations maximum et caractéristiques électriques @ MERCI = 25°C sauf indication contraire
Charge monophasé, de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%.
| Caractéristique | Symbole | RS1 A/AB | RS1 B/BB | RS1 D/DB |
RS1 G/GB |
RS1 J/JB |
RS1 K/KB |
RS1 M/MB |
Unité |
|
Tension inverse répétitive maximale Tension inverse maximale fonctionnante Tension de blocage de C.C (note 5) |
VRRM VRWM VR |
50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| Tension inverse de RMS | VR (RMS) | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
|
Courant de sortie rectifié moyen @ TTT = 120°C |
E/S | 1,0 | |||||||
| Courant de montée subite en avant maximal non répétitif, demi sinus-vague 8.3ms simple superposée à la charge évaluée | IFSM | 30 | |||||||
| Chute de tension en avant @ SI = 1.0A | VFM | 1,3 | V | ||||||
|
Courant inverse maximal @ MERCI = 25°C à la tension de blocage évaluée de C.C (note 5) @ MERCI = 125°C |
IRM |
5,0 200 |
µA | ||||||
| Temps de rétablissement inverse (note 3) | trr | 150 | 250 | 500 | NS | ||||
| Capacité totale typique (note 2) | CT | 15 | PF | ||||||
| Résistance thermique typique, jonction au terminal (note 1) | RθJT | 20 | °C/W | ||||||
| Température ambiante d'opération et de température de stockage | Tj, TSTG | -65 à +150 | °C | ||||||
Notes :
1. Valide à condition que des terminaux soient maintenus à la température ambiante.
2. Mesuré à 1.0MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V.
3. États inverses d'essai de récupération : SI = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. Voir le schéma 5.
4. Révision 13.2.2003 de RoHS. Les exemptions en verre et à hautes températures de soudure se sont appliquées.
5. Essai d'impulsion de durée employé pour réduire au minimum l'effet auto-chauffant.
, B, D, G, J, K, paquet de M Suffix Designates SMA
Ab, le BB, le DB, le gigaoctet, JB, KB, suffixe de mb indique le paquet de SMB
L'information de repérage
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
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