Protection contre la foudre de composants électroniques du circuit de redresseur de la diode LNBTVS3-220 IC pour LNB
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Protection contre la foudre de composants électroniques du circuit de redresseur de la diode LNBTVS3-220 IC pour LNB
LNBTVS3-220
Protection contre la foudre pour l'alimentation d'énergie de LNB
Caractéristiques
■3 kilovolts, 4 kilovolts et 6 kilovolts de protection (8/20 de µs)
■Paquet axial et de SMD
■VF unidirectionnel et bas (VF = 1,2 V à SI = 3 A)
■Bas facteur de fixage
■Temps de réponse rapide
Description
Le LNBTVSx-22xx est une foudre consacrée et une protection électrique de montée subite de surcharge pour des régulateurs de tension de LNB dans des applications satellites de boîtier décodeur. Ce dispositif assure la protection contre la foudre exigée pour passer les règlements du CEI et de FCC. Disponible en paquets axiaux, de SMB et de SMC, ce dispositif est compatible avec des processus de montage industriellement compatibles.
Capacités absolues du tableau 1. (Tamb = 25° C)
Initiale = Tamb de la dissipation de puissance de crête des impulsions de PPA (1) Tj jusqu'à 3 kilowatts
Dissipation de W.P. Peak sur le radiateur infini Tamb = 75° C
5 crête non répétitive de montée subite de W IFSM en avant actuelle pour les types unidirectionnels Tp = Mme 10
Initiale de Tj = Tamb 200 A
Température ambiante de température de stockage de Tstg Tj
La température de jonction maximum -65 + à 175 ° C TL de 150 ° C
La température maximum d'avance pour souder pendant les 10 s à 5 millimètres du ° C de l'affaire 230
Une partie du bulletin de la cote
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
Recherche 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
Recherche 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | PUCE | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR. PC817A | DIÈSE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | PUCE | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
PAC 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
PAC ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CASSEROLE | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | PUCE | 1636M6G | SOP-8 |
PAC ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RECHERCHE RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RECHERCHE RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
PAC CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
PAC CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
Recherche 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
CAS 0805RC0805JR-073K3L de la RECHERCHE 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
