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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > DIODES de SCHOTTKY de SIGNAL de diode de redresseur de circuit de redresseur de diode de diode de barrière de BAT85 Schottky PETITES

DIODES de SCHOTTKY de SIGNAL de diode de redresseur de circuit de redresseur de diode de diode de barrière de BAT85 Schottky PETITES

DIODES de SCHOTTKY de SIGNAL de diode de redresseur de circuit de redresseur de diode de diode de barrière de BAT85 Schottky PETITES
DIODES de SCHOTTKY de SIGNAL de diode de redresseur de circuit de redresseur de diode de diode de barrière de BAT85 Schottky PETITES
DIODES de SCHOTTKY de SIGNAL de diode de redresseur de circuit de redresseur de diode de diode de barrière de BAT85 Schottky PETITES
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Barrette de diodes 1 paire Connexion en série 40 V 200 mA (CC) Montage en surface SC-70, SOT-323
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension inverse maximale répétitive:
30V
Courant continu en avant à T =25℃:
200 mA
Dissipation de puissance à T=65℃:
200 mW
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:
℃ 125
Chaîne ambiante de température de fonctionnement:
-55~+125 ℃
Température ambiante de température de stockage:
-55~+150 ℃
Point culminant:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduction

PETITES DIODES DE SCHOTTKY DU SIGNAL BAT85

Caractéristiques

• Finition sans plomb/Rohs conforme (Note1) (le suffixe de « P " indique conforme. Voir l'information de commande)

• Pour des applications d'usage universel

• Tension d'ouverture très basse de ces caractéristiques de diodes et commutation rapide. Ces dispositifs sont protégés par un anneau de garde de jonction de PN contre la tension excessive, telle que des décharges électrostatiques.

• Cette diode est également disponible dans le mini-MELF cas avec le type la désignation LL85.

• Niveau 1 de sensibilité d'humidité

DONNÉES MÉCANIQUES

· Cas : Caisse en verre Do-35

· Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode

· Poids : Approximativement 0,13 grammes

ESTIMATIONS ABSOLUES (VALEURS LIMITES)

Symbole

Valeur

Unité

Tension inverse maximale répétitive

VR

30

V

Courant continu en avant à T =25℃

SI

200

mA

Courant en avant maximal répétitif à t<1s>

IFM

300

mA

Augmentez en avant actuel au tp<10ms>

IFSM

600

mA

Dissipation de puissance à T=65℃

Ptot

200

mW

La température de jonction

TJ

125

℃

Gamme de température de fonctionnement ambiante

MERCI

-55~+125

℃

Température ambiante de température de stockage

TSTG

-55~+150

℃

1) Valide à condition que des avances à une distance de 4mm de cas soient maintenues à la température ambiante

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
M41T94MQ6F 3620 St 16+ CONCESSION
2MBI300N-060 100 FUJI 10+ MODULE
LTC4060EFE 6506 LINÉAIRE 15+ TSSOP
OPA2171AIDR 6660 TI 13+ CONCESSION
NTA4151PT1G 38000 SUR 16+ IVROGNE
LP3990MFX-1.8 5167 NSC 15+ SOT-23-5
PIC16F506-I/SL 5203 PUCE 16+ CONCESSION
BTB12-800 10000 St 15+ TO-220
LPV321M5 6210 NSC 16+ SOT-23-5
PCF2123TS/1 12640 16+ TSSOP
M24C02-RMN6TP 38000 St 10+ CONCESSION
LMH0344SQE 2405 TI 13+ LLP-16
LMH0346MH 973 NSC 14+ TSSOP-20
LMH0302SQE 743 TI 14+ WQFN-16
OP37GSZ 6220 ANNONCE 16+ CONCESSION
LM2990T-5.0 500 NSC 10+ TO-220
MAX527DCWG+ 500 MAXIME 10+ CONCESSION
NLC565050T-271K-PF 10000 TDK 16+ SMD
MT29F2G08ABAEAH4 : E 6946 MICRON 12+ BGA
BFS17P 9000 15+ SOT23
L702N 1486 St 14+ ZIP11

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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Courant:
MOQ:
20pcs
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