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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Module extérieur de diode de redresseur de la diode de redresseur de diodes de protection d'ESD du bâti SMF10A-GS08 1n4007

Module extérieur de diode de redresseur de la diode de redresseur de diodes de protection d'ESD du bâti SMF10A-GS08 1n4007

Module extérieur de diode de redresseur de la diode de redresseur de diodes de protection d'ESD du bâti SMF10A-GS08 1n4007
Module extérieur de diode de redresseur de la diode de redresseur de diodes de protection d'ESD du bâti SMF10A-GS08 1n4007
Module extérieur de diode de redresseur de la diode de redresseur de diodes de protection d'ESD du bâti SMF10A-GS08 1n4007
Module extérieur de diode de redresseur de la diode de redresseur de diodes de protection d'ESD du bâti SMF10A-GS08 1n4007
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Pince 17V 11.8A Ipp Tvs Diode Montage en surface DO-219AB (SMF)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Courant maximal d'impulsion:
voir « les caractéristiques électriques »
Puissance d'impulsion de crête:
1000/600 W
Courant de montée subite en avant maximal:
20 A
Immunité d'ESD:
± 30 kilovolts
Résistance thermique:
180 K/W
Point culminant:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduction

Diodes extérieures de protection d'ESD de bâti

CARACTÉRISTIQUES

• Pour les applications montées extérieures

• paquet de Bas-profil

• Optimisé pour des applications de protection de LAN

• Idéal pour la protection d'ESD des lignes de données selon le CEI 61000-4-2 (le CEI 801-2)

• Idéal pour la protection d'EFT des lignes de données selon le CEI 61000-4-4 (le CEI 801-4)

• CRNA d'ESD-protection. ± du CEI 61000-4-2 30 kilovolts de contact de ± de décharge 30 kilovolts de décharge d'air

• Basse résistance par accroissement de montée subite, excellente capacité de fixage

• Capacité de puissance de crête des impulsions de 200 W avec une forme d'onde de μs de 10/1000, taux de répétition (coefficient d'utilisation) : 0.01 % • Temps de réponse rapide même

• La soudure à hautes températures a garanti : 260 °C/10 s sur des terminaux

• e3 - Sn

• AEC-Q101 a qualifié

• Conforme à RoHS 2002/95/EC directif

et dans l'accord à WEEE 2002/96/EC

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES

BULLETIN DE LA COTE

MB6S 20000 TOSHIBA 16+ CONCESSION
MC3403DT 5158 TI 16+ CONCESSION
MC74HC04ADR2G 40000 SUR 16+ CONCESSION
MT9M021IA3XTC 748 SUR 15+ IBGA
MX25L25635FZ2I-10G 6000 MXIC 14+ WSON8
MC74HC4066DR2 30000 MOT 16+ CONCESSION
MCP23S17-E/SS 5200 PUCE 16+ SSOP
MP9720DS 5861 MP 16+ CONCESSION
PT100S8 100 NIEC 13+ MODULE
LTM10C209A 448 TOSHIBA 15+ Affichage à cristaux liquides
MLP1N06CLG 28000 SUR 16+ TO-220
LT1461BCS8-2.5 9862 LT 15+ SOP-8
MOC3023SR2M 10000 FAIRCHILD 16+ CONCESSION
MJ15025G/MJ15024G 2125 SUR 14+ TO-3
P4SMAJ12A 25000 PANJIT 16+ DO-214AC
NCP3334DADJR2G 12800 SUR 16+ SOP-8
XC4VFX60-11FFG1152C 100 XILINX 15+ BGA
LPC1342FHN33 4122 15+ HVQFN-33
LT1934ES6-1 11534 LINÉAIRE 16+ SOT-23-6
MB91F267APMC-GE1 3714 FUJITSU 14+ QFP
PESD12VS1UB 25000 16+ GAZON
PESD5V0S1UB 25000 16+ GAZON
LM2903VDR2G 10000 SUR 12+ SOP-8
LPC1311FHN33 3642 11+ HVQFN-33
LM2903DR2G 40000 SUR 14+ SOP-8
LM358D2G 25000 SUR 14+ SOP-8
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
5pcs
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