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Diode de redresseur PMBT3904,235, transistor composant de changement de l'électronique de NPN

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor bipolaire (BJT) NPN 40 V 200 mA 300 MHz 250 mW Montage en surface TO-236AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de collecteur-base:
60 V
Tension de collecteur-émetteur:
40 V
tension d'Émetteur-base:
6 V
Dissipation de puissance totale:
250mW
Température de stockage:
°C −65 +150
Point culminant:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduction

Transistor de commutation de NPN PMBT3904


CARACTÉRISTIQUES

• Capacité IC de courant de collecteur = 200 mA

• Tension de collecteur-émetteur VCEO = 40 APPLICATIONS de V.

• Commutation et amplification générales.

DESCRIPTION

Transistor de commutation de NPN dans un paquet SOT23 en plastique.

Complément de PNP : PMBT3906.

INSCRIPTION

TYPE NOMBRE CODE DE REPÉRAGE (1)
PMBT3904 *1A

FICHE LE STATUT

DOCUMENT

STATUT (1)

PRODUIT

STATUT (2)

DÉFINITION
Fiche technique objective Développement Ce document contient des données des spécifications objectives pour le développement de produit.
Fiche technique préliminaire Qualification Ce document contient des données des spécifications préliminaires.
Fiche technique de produit Production Ce document contient les spécifications produit.

BULLETIN DE LA COTE

PIC16F874-04/PQ 4888 PUCE 10+ QFP
MIC5209-5.0YU 6622 MICREL 16+ TO-263
BQ27510DRZR-G2 3235 TI 13+ QFN
MOC8111 10000 FSC 16+ IMMERSION
NZT44H8 5460 FAIRCHILD 16+ SOT-223
6RI30E-080 1200 FUJI 15+ MODULE
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