Carte de diodes Zener de puissance du silicium 1N5358B Chips Electronic Component
Caractéristiques
Dissipation de puissance maximum:
5W
Z-tension nominale:
8,7… 200 V
Boîtier en plastique:
DO-201
Poids approximativement:
0,8 g
Tolérance:
±5%
Type:
DIODES
Point culminant:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Introduction
Diodes de la Silicium-puissance-Zener 1N5358B
Diodes de Silicium-puissance-Zener (technologie non plan)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Dissipation de puissance maximum Maximale Verlustleistung Z-tension nominale Nominale Z-Spannung
Boîtier en plastique Kunststoffgehäuse Poids approximativement Gewicht CA La matière plastique a la classification 94V-0 d'UL
Klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0 Emballage standard attaché du ruban adhésif dans le paquet de munitions Gegurtet standard de Lieferform dans le Munition-paquet
La tolérance standard de tension de Zener est ±5%). D'autres tolérances de tension et tensions plus élevées de Zener sur demande.
Meurent IST de Zener-Spannung de der de Toleranz dans le der ±5% standard-Ausführung. Höhere d'Andere Toleranzen oder
Forces d'appoint Anfrage d'Arbeitsspannungen.
Dissipation de puissance Verlustleistung
|
Ptot
|
5 W 1)
|
Dissipation non répétitive de puissance de crête, t < 10="" ms="">
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10="" ms="">
|
PZSM
|
80 W
|
La température de jonction fonctionnante – Sperrschichttemperatur
Température de stockage – Lagerungstemperatur
|
Tj
SOLIDES TOTAUX
|
-50… +150°C
-50… +175°C
|
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
|
RthA
|
< 25="" K="">
|
Jonction de résistance thermique au terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
|
RthL | <8 K=""> |
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Courant:
MOQ:
5 PCS