Diode de redresseur extérieure de redresseur de barrière de Schottky de bâti pour le placement automatisé B360A-E3/61T
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Redresseur extérieur de barrière de Schottky de bâti
CARACTÉRISTIQUES
• Paquet de profil bas
• Idéal pour le placement automatisé
• Basse chute de tension en avant, pertes de puissance faible
• Rendement élevé • Capacité de crête élevée
• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020,
SI crête maximum du °C 260
• °C de l'immersion 260 de soudure, 40 s
• Composant dans l'accord à RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC
APPLICATIONS TYPIQUES
Pour l'usage la basse tension, les inverseurs à haute fréquence, en laissant aller, les convertisseurs C.C-à-C.C, et les applications de protection de polarité.
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : L'époxyde de DO-214AC (SMA) rencontre l'estimation d'inflammabilité de l'UL 94V-0
Terminaux : Les avances plaque en fer blanc, solderable mats par suffixe de J-STD-002 et de JESD22-B102 E3 pour la qualité grand public, rencontre l'essai de favori de la classe 1A de JESD 201
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
| ESTIMATIONS MAXIMUM (MERCI = °C 25 sauf indication contraire) | ||||
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | B350A | B360A | UNITÉ |
| Code d'inscription de dispositif | B35 | B36 | V | |
| Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 50 | 60 | V |
| La moyenne maximum a en avant rectifié actuel (fig. 1) | SI (POIDS DU COMMERCE) | 3,0 | ||
| Sinus-vague simple de montée subite en avant de Mme maximale du courant 8,3 demi superposée à la charge évaluée | IFSM | 50 | ||
| Taux de tension de changement (a évalué VR) | dV/dt | 10 000 | V/µs | |
| Température ambiante fonctionnante de jonction | TJ, TSTG | - 55 + à 150 | °C | |
ESTIMATIONS ET COURBES DE CARACTÉRISTIQUES
(MERCI = °C 25 sauf indication contraire)
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC