La diode de redresseur d'usage universel de transistors (silicium de PNP) Pb−Free empaquette BC807-25LT1G
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 300 mW
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T Western Union, Paypal
Caractéristiques
VCEO:
−45 V
VCBO:
−50 V
VEBO:
−5.0 V
IC:
mAdc −500
Point culminant:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introduction
BC807−16LT1,
BC807−25LT1, BC807−40LT1
Usage universel
Transistors
Silicium de PNP
Caractéristiques
• Les paquets de Pb−Free sont disponibles
Les estimations maximum sont ces valeurs au delà de quels dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum ont appliqué au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.
ESTIMATIONS MAXIMUM
| Estimation | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de collecteur-émetteur | VCEO | −45 | V |
| Tension de collecteur-base | VCBO | -50 | V |
| Émetteur - tension basse | VEBO | −5.0 | V |
| − de courant de collecteur continu | IC | -500 | mAdc |
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MOQ:
3000pcs