Doubles diodes de commutation à grande vitesse extérieures de diode de commutation de Smd de terminaux de la diode de commutation de bâti trois BAV70
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
BAW56/BAV70/BAV99 Plastique-encapsulent des diodes de commutation
Caractéristiques
►Vitesse de changement rapide
►Paquet extérieur de bâti idéalement adapté à l'insertion automatique
►Pour des applications de changement d'usage universel
►Conductibilité élevée je
Données mécaniques
Cas : SOT-23, plastique moulé
Terminaux : Solderable par MILL-STD-202, méthode 208
Polarité : Voir le diagramme
Inscription : BAW56 : A1, BAV70 : A4, BAV99 : A7
Poids : IVROGNE de 0,008 grammes (approximativement)
Type nombre | Symbole | BAW56/BAV70/BAV99 | Unités |
Tension inverse | VR | 70 | V |
Courant en avant | SI | 200 | mA |
Courant de montée subite en avant maximal | IFM (montée subite) | 500 | mA |
Dissipation de puissance | Palladium | 225 | mW |
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant | RθJA | 556 | o C/W |
La température de jonction | TJ | 150 | o C |
Température ambiante de température de stockage | TSTG | -55 à 150 | o C |
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES (BAW66/BAV70/BAV99)

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
