redresseur extérieur B330A-13-F de barrière de Schottky du bâti 3.0A
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
B320A - B360A
REDRESSEUR EXTÉRIEUR de BARRIÈRE de SCHOTTKY du BÂTI 3.0A
Caractéristiques
Garde Ring Die Construction pour la protection passagère
Dans le meilleur des cas adapté à l'Assemblée automatique
Perte de puissance faible, rendement élevé
Température de surcharge de montée subite à la crête 100A
Pour l'usage dans la basse tension, les inverseurs à haute fréquence, le roulement libre, et l'application de protection de polarité
Finition sans plomb/RoHS conforme (note 4)
| Faible | SMA | |
| Minute | Maximum | |
| 2,29 | 2,92 | |
| B | 4,00 | 4,60 |
| C | 1,27 | 1,63 |
| D | 0,15 | 0,31 |
| E | 4,80 | 5,59 |
| G | 0,10 | 0,20 |
| H | 0,76 | 1,52 |
| J | 2,01 | 2,30 |
| Toutes les dimensions dans le millimètre | ||
* : Note : Le dispositif peut avoir une entaille semi-circulaire de renfoncement dessus
un côté du dispositif (comme montré).
Données mécaniques
Cas : Cas de SMA
Matériel : Plastique moulé. Inflammabilité d'UL
Classification 94V-0
Sensibilité d'humidité : De niveau 1 par J-STD-020C
Terminaux : Électrodéposition sans plomb (Matte Tin Finish).
Solderable par MIL-STD-202, méthode 208
Polarité : Bande de cathode
Poids approximatif : SMA 0,064 grammes
Estimations maximum et caractéristiques électriques @ MERCI = 25°C sauf indication contraire
Charge monophasé, de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive. Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%.
| Caractéristique | Symbole | B320A | B330A | B340A | B350A | B360A | Unité |
|
Tension inverse répétitive maximale Tension inverse maximale fonctionnante Tension de blocage de C.C |
VRRM VRWM VR |
20 | 30 | 40 | 50 | 60 | V |
| Tension inverse de RMS | VR (RMS) | 14 | 21 | 28 | 35 | 42 | V |
|
Courant de sortie rectifié moyen @ TTT = 100°C |
E/S | 3,0 | |||||
| Courant de montée subite en avant maximal non répétitif, demi sinus-vague 8.3ms simple superposée à la charge évaluée | IFSM | 100 | |||||
|
Tension en avant (note 3) @ SI = 3.0A |
VFM | 0,50 | 0,70 | V | |||
|
Actuel inverse maximal @TA = 25°C à la tension de blocage évaluée de C.C (Note 3) @TA = 100°C |
IRM |
0,5 20 |
mA | ||||
| Capacité typique (note 2) | CT | 200 | PF | ||||
| Résistance thermique typique, jonction au terminal | R JT | 25 | °C/W | ||||
| Résistance thermique typique, jonction à ambiant (note 1) | R JA | 100 | °C/W | ||||
| Chaîne de température de fonctionnement | Tj | -55 à +125 | °C | ||||
| Température ambiante de température de stockage | TSTG | -55 à +150 | °C | ||||
Notes : 1. résistance thermique : Jonction au terminal, unité montée sur le substrat en verre d'expoxy avec la protection de cuivre de 2x3mm.
2. mesuré à 1,0 mégahertz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V.
3. impulsion d'essai de durée employée pour réduire au minimum l'effet auto-chauffant.
4. révision 13.2.2003 de RoHS. L'exemption à hautes températures de soudure appliquée, voient la note directive 7. d'annexe d'UE.
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
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