Redresseurs de silicium 1N5408
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Redresseurs de silicium Silizium Gleichrichter
Courant nominal -- Nennstrom 3 A
Tension inverse maximale répétitive 50… 1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Boîtier en plastique | DO-201
Kunststoffgehäuse
Poids approximativement -- Gewicht CA 1 g
La matière plastique a la classification 94V-0 d'UL
Klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0
Emballage standard attaché du ruban adhésif dans le paquet de munitions voir la page 16
Gegurtet standard de Lieferform dans le Munition-paquet siehe Seite 16
Estimations maximum Grenzwerte
|
Type Type |
Tension inverse maximale répétitive Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] |
Tension inverse maximale Stoßspitzensperrspannung de montée subite VRSM [V] |
| 1N 5400 | 50 | 50 |
| 1N 5401 | 100 | 100 |
| 1N 5402 | 200 | 200 |
| 1N 5403 | 300 | 300 |
| 1N 5404 | 400 | 400 |
| 1N 5405 | 500 | 500 |
| 1N 5406 | 600 | 600 |
| 1N 5407 | 800 | 800 |
| 1N 5408 | 1000 | 1000 |
La moyenne maximale a en avant rectifié actuel, R-charge VENTRES = 50 ? ? ℃ IFAV 3 A 1)
Dauergrenzstrom dans le MIT d'Einwegschaltung R-dernier
Crête répétitive en avant actuelle f > 15 hertz IFRM 30 A 1)
Periodischer Spitzenstrom
Courant de montée subite en avant maximal, 50/60 hertz de demi sinus-vague VENTRES = 25 ? ? ℃ IFSM A 180/200
Eine 50/60 hertz de für de Stoßstrom de sinus-Halbwelle
Estimation pour la fusion -- Grenzlastintegral, t < 10="" ms="">A = 25 ? ? ℃ I2 t 166 A2 s
La température de jonction fonctionnante -- Sperrschichttemperatur Tj -- 50… +175 ? ℃
Température de stockage -- Lagerungstemperatur SOLIDES TOTAUX -- 50… +175 ? ℃
Caractéristiques Kennwerte
Tension en avant -- Durchlaflspannung Tj = 25 ? ℃ SI = 3 A VF< 1="">
Fuite actuelle -- Sperrstrom Tj = 25 ? ℃ VR = VRRM IR< 10="">
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant RthA< 25="" K=""> 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht -- umgebende Luft
1) valide, si des avances sont maintenues à la température ambiante à une distance de 10 millimètres de cas
Gültig, wenn meurent Anschlußdrähte dans des forces d'appoint Umgebungstemperatur de 10 millimètres Abstand von Gehäuse gehalten pour werden
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC