Redresseur ultra-rapide de l'avalanche SMD de la puce BYG23M-E3/TR de circuit intégré de rf
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Redresseur ultra-rapide de l'avalanche SMD de la puce BYG23M-E3-TR de circuit intégré de rf
CARACTÉRISTIQUES
• Paquet de profil bas
• Idéal pour le placement automatisé
• Jonction passivée en verre
• Bas courant inverse
• Tension inverse élevée
• Temps de rétablissement inverse ultra-rapide
• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, SI crête maximum du °C 260
• °C de l'immersion 260 de soudure, 40 s
• Composant dans l'accord à RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC
APPLICATIONS TYPIQUES
Pour l'usage dans l'application à haute fréquence de rectification et de laisser aller dans les convertisseurs et des inverseurs de changement de mode pour le consommateur, l'ordinateur, des véhicules à moteur et télécommunication.
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : L'époxyde de DO-214AC (SMA) rencontre l'estimation d'inflammabilité de l'UL 94V-0
Terminaux : Les avances plaque en fer blanc, solderable mats par suffixe de J-STD-002 et de JESD22-B102 E3 pour la qualité grand public, rencontre l'essai de favori de la classe 1A de JESD 201, le suffixe HE3 pour la catégorie élevée de fiabilité (l'AEC Q101 qualifiée), rencontre l'essai de favori de la classe 2 de JESD 201
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
ESTIMATIONS MAXIMUM (MERCI = °C 25 sauf indication contraire)
PARAMÈTRE | SYMBOLE | BYG23M | UNITÉ |
Code d'inscription de dispositif | BYG23M | ||
Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 1000 | V |
Courant en avant moyen VENTRES = °C 65 | SI (POIDS DU COMMERCE) | 1,5 | |
Sinus-vague simple de montée subite en avant de Mme maximale du courant 10 demi superposé à la charge évaluée |
IFSM | 30 | |
Énergie d'impulsion en mode d'avalanche, non répétitif (commutateur de charge inductive) I (BR) R = 1 A, TJ = °C 25 |
ER | 20 | MJ |
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | - 55 + à 150 | C |
ESTIMATIONS ET COURBES de CARACTÉRISTIQUES (MERCI = °C 25 sauf indication contraire)
DIMENSIONS d'ENSEMBLE de PAQUET en pouces (millimètres)

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
