Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode

TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Radial de l'émetteur 940nm 1.35V 100mA 16mW/sr @ 100mA 50° de l'infrarouge (IR), diamètre de 3mm (T-
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Caractéristiques:
• Type de paquet : plombé
Features2:
• Forme de paquet : T-1
Features3:
• Dimensions (dans le millimètre) : ∅ 3
Features4:
• Longueur d'onde maximale : λp = 940 nanomètre
Features5:
• Fiabilité élevée
FEATURES6:
Puissance rayonnante élevée
Point culminant:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introduction

TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode

CARACTÉRISTIQUES

• Type de paquet : plombé

• Forme de paquet : T-1

• Dimensions (dans le millimètre) : ∅ 3

• Longueur d'onde maximale : λp = 940 nanomètre

• Fiabilité élevée

• Puissance rayonnante élevée

• Radiance élevée

• Angle d'intensité réduite : ϕ = ± 25°

• Basse tension en avant

• Approprié à l'opération en cours d'impulsion élevée

• Bon assortiment spectral avec des détecteurs photoélectriques de SI

• Matchs de paquet avec le détecteur TEFT4300

• Composant sans d'avance (Pb) selon RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC

DESCRIPTION

TSAL4400 est un infrarouge, 940 nanomètre émettant la diode en technologie de GaAlAs/GaAs avec la puissance rayonnante élevée moulée dans un paquet en plastique bleu-gris.

APPLICATIONS

• Unités à télécommande infrarouges

• Systèmes de transmission d'air libre

• Source infrarouge pour les compteurs et les lecteurs de cartes optiques

L'INFORMATION DE COMMANDE
CODE DE COMMANDE EMBALLAGE REMARQUES PAQUET FORMtr (NS)
TSAL4400 Le volume MOQ : 5000 PCs, 5000 PCs/volume T-1

Note

Les conditions d'essai voient le tableau « caractéristiques de base «

RÉSUMÉ DE PRODUIT
COMPOSANT IE (mW/sr) ϕ (degrés) λP (nanomètre) TR (NS)
TSAL4400 30 ± 25 940 800

PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20