Diodes IC Chip BAS 85 135 de l'électronique de la diode de barrière de Schottky
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Diodes IC Chip BAS 85 de l'électronique de la diode de barrière de Schottky
Diode de barrière de BAS85 Schottky
CARACTÉRISTIQUES
• Basse tension en avant
• Tension claque élevée
• Anneau de garde protégé
• Petit paquet hermétiquement scellé de SMD.
DESCRIPTION
Diode de barrière planaire de Schottky avec un anneau intégré de protection contre des décharges statiques. Cette diode montée extérieure est encapsulée dans un paquet en verre hermétiquement scellé de SOD80C SMD avec les disques plaque en fer blanc en métal à chaque extrémité. Il convient « au placement automatique » et en tant que tels elle peut résister à la soudure d'immersion.
APPLICATIONS
• Commutation ultra ultra-rapide
• Fixage de tension
• Circuits de protection
• Blocage des diodes.
ÉTATS DE PARAMÈTRE DE SYMBOLE
− MAXIMAL MINIMAL 30 V de tension inverse continue de l'UNITÉ VR
SI − actuel en avant continu 200 mA
SI moyenne (poids du commerce) en avant actuelle VRWM = 25 V ; a = 1,57 ; δ = 0,5 ;
note 1 ; Fig.2 du − 200 de mA IFRM de crête ≤ actuel répétitif 1 s de tp en avant ; − 300 mA I du ≤ 0,5 de δ
Crête non répétitive de FSM en avant actuelle tp de = − 5 A 10 Mme
°C de la température de stockage −65 +150 de Tstg
°C du − 125 de la température de jonction de Tj
°C fonctionnant de la température ambiante −65 +125 de Tamb
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | Max | UNITÉ |
| VF | Tension en avant |
SI =0.1mA SI =1mA SI =10mA SI =30mA SI =100mA |
240 320 400 500 800 |
système mv système mv système mv système mv système mv |
| IR | Vr=25V | 2,3 | uA | |
| Cd | capacité de diode | f=1 mégahertz Vr=1V | 10 | PF |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC