Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Dispositif antiparasite à haute tension 1.5KE250CA du module 1500w de diode de redresseur

Dispositif antiparasite à haute tension 1.5KE250CA du module 1500w de diode de redresseur

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
442V diode de la bride 23A (8/20µs) PIP TV par le trou DO-201
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Ligne principale:
IC, module, transistor, diodes, condensateur, résistance etc.
Curren:
200A
La température:
-55 à +175 ºC
Disipation:
1500W
Paquet d'usine:
2500PCS/REEL
Paquet:
DO-201
Point culminant:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introduction

Dispositif antiparasite à haute tension 1.5KE250CA du module 1500w de diode de redresseur

DISPOSITIF ANTIPARASITE PASSAGER IC de TENSION de 1.5KE250CA 1500W


CARACTÉRISTIQUES

? dissipation de puissance de crête des impulsions 1500W ?

Excellente capacité de fixage ?

Temps de réponse rapide ?

Finition sans plomb, RoHS conforme (note 3)

Chaîne 6.8V - 400V de tension ?

Construit avec de verre passivé mourez ?

Uni- et bidirectionnelles versions disponibles

?

Données mécaniques

Cas : DO-201 ? Cas

Matériel : Époxyde moulage par transfer. Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0 ?

Sensibilité d'humidité : De niveau 1 par J-STD-020C ?

Terminaux : Finissez - l'étain lumineux. Avances : Axial, Solderable par MIL-STD-202

Méthode 208 ? L'information de commande : Voir la dernière page ?

Inscription : Unidirectionnel - type nombre et bande de cathode ?

Inscription : Bidirectionnel - type nombre seulement

? Poids : 1,12 grammes (d'approximatif)

DO-201
FAIBLE MINUTE Max
25,40 -
B 8,50 9,53
C 0,96 1,06
D 4,80 0,21
Toutes les dimensions dans le millimètre

Estimations maximum

@ MERCI = 25°C sauf indication contraire

Charcteristic Symbole Valeur Unité
Puissance de crête Disipation à tp=1.0ms Ppk 1500 W
Dissipation de puissance équilibrée aux longueurs d'avance de TL=75ºC 9.5mm Palladium 5,0 W
Montée subite en avant maximale Curren, demi onde sinusoïdale 8,3 simple superposée à la charge évaluée Ifsm 200

Impulsion VBR d'onde rectangulaire de la tension en avant If=50A 300µs<>

Seulement VBR>100V unidirectionnel

VF

3,5

5,0

V
Température ambiante d'opération et de température de stockage Tj TsTG -55 à +175 ºC

Notes : 1. le suffixe “C” dénote le dispositif bidirectionnel.

2. Pour les dispositifs bidirectionnels ayant VR de 10 volts et dessous, la limite d'IR est doublée.

3. Révision 13.2.2003 de RoHS. Les exemptions en verre et à hautes températures de soudure appliquées, voient les notes directives 5 et 7. d'UE.

PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
2500pcs