Puce numérique de circuit intégré de circuits intégrés d'AT45DB011D-SH-B volt DataFlash minimum de 1 million de bits 2,7

1-megabit 2,7 volt DataFlash minimum AT45DB011D

Caractéristiques

• 2.7V simple à l'approvisionnement 3.6V

• Interface série de RapidS® : 66 mégahertz de fréquence du signal d'horloge maximum

– Modes compatibles 0 et 3 de SPI

• Taille de la page configurable d'utilisateur

– 256 octets par la page

– 264 octets par la page

– La taille de la page peut être usine préconfigurée pour 256 octets

• Opération de programme de page

– Opération de programmation intelligente

– 512 pages (256/264 octet/page) de mémoire centrale

• Options flexibles d'effacement

– Effacement de page (256 octets)

– Effacement de bloc (2 K bytes)

– Effacement de secteur (32 K bytes)

– Chip Erase (1 Mbits)

• Un tampon de données de SRAM (256/264 d'octets)

• Capacité lue continue par la rangée entière

– Idéal pour le code ombrageant des applications

• Dissipation de basse puissance

– courant lu actif de 7 mA typique

– 25 typiques actuels de remplaçant de µA

– puissance-vers le bas profonde de 5 µA typique

• Caractéristiques de protection des données de matériel et de logiciel

– Secteur individuel

• Lockdown de secteur pour le code et le stockage de données sûrs

– Secteur individuel

• Sécurité : registre de sécurité de 128 octets

– l'espace programmable d'utilisateur de 64 octets

– Identificateur de dispositif unique de 64 octets

• L'identification standard de fabricant et de dispositif de JEDEC a lu

• 100 000 cycles de programme/effacement par minimum de page

• Conservation de données – 20 ans

• Température ambiante industrielle

• Options de empaquetage du vert (Pb/Halide-free/RoHS conforme)

Description

L'AT45DB011D est un 2.7V, une mémoire instantanée de périodique-interface idéalement adaptée à une grande variété de voix numérique, une image, un code de programme et des applications de stockage de données. L'AT45DB011D soutient l'interface série de rapide pour des applications exigeant des opérations très à grande vitesse. L'interface série de rapide est SPI compatible pour des fréquences jusqu'à 66 mégahertz. Ses 1 081 344 bits de mémoire sont organisés en tant que 512 pages de 256 octets ou de 264 octets chacun. En plus du de mémoire centrale, l'AT45DB011D contient également un tampon de SRAM de 256/264 d'octets. L'émulation d'EEPROM (altérabilité de peu ou d'octet) est facilement manipulée avec un en trois étapes d'un seul bloc lecture-modifier-écrivent l'opération. À la différence des souvenirs instantanés conventionnels qui sont accédés directement avec des lignes à plusieurs adresses et une interface parallèle, le DataFlash® emploie un interface série de rapide pour accéder séquentiellement à ses données. L'à accès direct simple réduit nettement le compte de goupille actif, facilite la disposition de matériel, augmente la fiabilité du système, réduit au minimum le bruit de changement, et réduit la taille de paquet.

Le dispositif est optimisé pour l'usage dans beaucoup d'applications commerciales et industrielles où à haute densité, compte de bas-goupille, de basse tension et de basse puissance soyez essentiel.

Pour tenir compte du reprogrammability simple de dans-système, l'AT45DB011D n'exige pas des tensions d'entrée élevées pour la programmation. Le dispositif fonctionne à partir d'une alimentation d'énergie simple, 2.7V à 3.6V, pour le programme et des opérations "lecture". L'AT45DB011D est permis par la goupille choisie de puce (CS) et accédé par l'intermédiaire d'une interface trifilaire comprenant l'entrée périodique (SI), la sortie périodique (AINSI), et l'horloge périodique (SCK).

Tous les cycles de programmation et d'effacement sont auto-synchronisés.

Ratings* maximum absolu

La température sous ............................... -55° polarisé C à +125° C

Température de stockage .................................... -65° C à +150° C

Toutes les tensions d'entrée (goupilles y compris d'OR)

en ce qui concerne la terre ................................... - 0.6V à +6.25V

Toutes les tensions de sortie

en ce qui concerne la terre ............................. - 0.6V à VCC + 0.6V

*NOTICE : Les efforts au delà de ceux énumérés sous « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une estimation d'effort seulement et l'opération fonctionnelle du dispositif à ces derniers ou d'aucune autre condition au delà de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de capacité absolue pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.

Vue supérieure de SOIC Vue supérieure d'UDFN ⁽¹⁾

Note :

1. La protection en métal sur le fond du paquet d'UDFN flotte. Cette protection peut être un « aucun se relient » ou relié à la terre.

Schéma fonctionnel

Offre courante (vente chaude)