Composants électroniques de fournisseur du RELAIS PHOTOMOS SPNO Chine d'AQY210EH nouveaux et originaux
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
SPST-NO à semi-conducteur (1 forme A) 4-DIP (0,300", 7.62mm)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
0.1USD
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension:
350V
Caractéristiques:
Plus de 0,4 millimètres d'isolation interne
Description:
Q exceptionnel et haut SRFs
La température:
/
Utilisation:
/
Type:
Puce d'IC
Point culminant:
circuit board ic
,electronic components ic
Introduction
RELAIS PHOTOMOS SPNO D'AQY210EH
CARACTÉRISTIQUES
1. Type renforcé de l'isolation 5 000 V
Plus de 0,4 millimètres d'isolation interne DIS
tance entre les entrées et sorties. Escroquerie
formes à EN41003, EN60950 (isolation renforcée).
2. Taille compacte d'IMMERSION de 4 bornes
Le dispositif vient dans un contrat
(W) 6.4× (L) 4.78× (H) 3.2mm
(W) .252× (L) .188× (H) .126INCH,
taille de l'IMMERSION 4-pin.
3. Signaux analogues de bas niveau de contrôles
Les relais de PhotoMOS comportent extrêmement - le bas
tension excentrée à circuit fermé à permettre
contrôle des signaux analogues de bas niveau sans
déformation.
4. Sensibilité élevée, basse SUR la résistance
Peut commander un 0,13 maximum une charge actuelle avec un courant d'entrée de 5 mA.
Le bas SUR la résistance de 25Ω (AQY210EH).
Opération stable parce qu'il n'y a aucune pièce métallique de contact.
5. De bas niveau outre de la fuite d'état actuelle
Le SSR a un courant de fuite d'état
de plusieurs milliampères, tandis que le Pho-
le relais de toMOS a la PA seulement 100 même avec
la tension de charge évaluée de 350 V
(AQY210EH).
APPLICATIONS TYPIQUES
• Modem
• Matériel téléphonique
• Équipement de sécurité
• Capteurs
PRODUITS CONNEXES
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Courant:
MOQ:
5 PCS