Composants électroniques originaux de diode de commutation de BAS16LT1G, transistor intégré
Caractéristiques
MERCI:
= 25°C
Tension:
Réglable
réalité virtuelle:
= 75 volts continu
TJ:
= 150°C
F:
= 1,0 mégahertz
Type:
Diode
Point culminant:
circuit board ic
,electronic components ic
Introduction
Diode de commutation de BAS16LT1G
Caractéristiques
Les paquets de Pb−Free sont disponibles
Les estimations maximum sont ces valeurs au delà de quels dommages de dispositif peuvent se produire.
Les estimations maximum ont appliqué au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (pas
le fonctionnement normal) et est invalide simultanément. Si ces limites
sont dépassés, dispositif l'opération que fonctionnelle n'est pas impliquée, dommages peut se produire
et la fiabilité peut être affectée.
Pour l'information sur des caractéristiques de bande et de bobine,
y compris des tailles d'orientation et de bande de partie, svp
référez-vous à nos caractéristiques de empaquetage de bande et de bobine
Brochure, BRD8011/D.
Dispositif
|
Paquet
|
† D'expédition
|
BAS16LT1
|
SOT−23
|
3000/Tape et bobine
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BAS16LT1G
|
SOT−23 (Pb−Free)
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3000/Tape et bobine
|
BAS16LT3
|
SOT−23
|
10000/Tape et bobine
|
BAS16LT3G |
SOT−23 (Pb−Free)
|
10000/Tape et bobine |
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Courant:
MOQ:
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