74AUP1G157GW, 125 puce d'IC de multiplexeur d'entrée de la puissance 2 de Chips Low de carte
electronic chip board
,electronic components ic
1. Description générale
Le 74AUP1G157 est un performant, de basse puissance, de basse tension, dispositif de la SI-porte CMOS, supérieur à la plupart des familles compatibles avancées de CMOS TTL. L'action de déclencheur de Schmitt à toutes les entrées rend le circuit tolérant à une hausse d'entrée et à des temps de chute plus lents à travers la gamme VCC entière à partir de 0,8 V à 3,6 V.
Ce dispositif assure une puissance statique et dynamique très basse à travers la gamme VCC entière de 0,8 V à 3,6 V. Ce dispositif est entièrement spécifié pour des applications partielles de puissance-vers le bas utilisant IOFF.
Les circuits d'IOFF désactivent la sortie, empêchant le refoulement préjudiciable actuel par le dispositif quand ils sont mis hors tension.
Le 74AUP1G157 est un multiplexeur simple de 2 entrées qui des données choisies de deux entrées de données (I0 et I1) sous le contrôle d'une entrée choisie de données communes (s).
L'état de l'entrée choisie de données communes détermine le registre particulier dont les données viennent. La sortie (y) présente les données choisies sous la forme (non-inversée) vraie.
2. Caractéristiques
■Grand choix de tension d'alimentation de 0,8 V à 3,6 V
■Immunité de bruit élevée
■Se conforme aux normes de JEDEC :
◆JESD8-12 (0,8 V 1,3 V) à ◆ JESD8-11 (0,9 V à V) 1,65
◆JESD8-7 (1,2 V V) 1,95 à ◆ JESD8-5 (1,8 V à 2,7 V)
◆JESD8-B (2,7 V à 3,6 V)
■Protection d'ESD :
◆La classe 3A de HBM JESD22-A114-D dépasse 4000 V
◆Le millimètre JESD22-A115-A dépasse 200 V
◆CDM JESD22-C101-C dépasse 1000 V
■Basse puissance statique ; ICC = 0,9 µA (maximum)
■La représentation de verrou- dépasse 100 mA par classe de JESD 78 II
■Les entrées acceptent des tensions jusqu'à 3,6 V
■À faible bruit dépassez et sous-évaluez < 10="">
■Les circuits d'IOFF fournissent l'opération partielle de mode de puissance-vers le bas
■Options multiples de paquet
■Spécifique du °C −40 au °C +85 et du °C −40 au °C +125
Une partie du bulletin de la cote
| PAC 0402 100NF 16V X7R CL05B104KO5NNNC | SAMSUNG | AC4J02C | SMD0402 |
| DIODO SMCJ5.0A-E3/57T | VISHAY | 1613/GDE | SMC |
| INDUTOR 0805 220R BLM21PG221SN1L | MURATA | AM6127681 | SMD0805 |
| Recherche 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1612 | SMD0805 |
| Recherche 0402 0R 5% RC0402JR-070RL |
YAGEO | 1612 | SMD0402 |
| Recherche 0402 100K 5% RC0402JR-07100KL | YAGEO | 1614 | SMD0402 |
| Recherche 2512 0R22 1% RL2512FK-070R22L |
YAGEO | 1614 | SMD2512 |
| TRANSPORT NDT452AP | FSC | DH42AD | SOT-223 |
| FUSIVEL 30R250UU | LITTELFUSEI | 16/03/25/30/250U/P03L | DIP-2 |
| DIODO MBR20200CTG | SUR | NSD618 | TO-220 |
| CI TL431CDBZR | TI | T3CU | SOT-23 |
| TRANS. BC817-25 | 1412/6BW | SOT-23 | |
| C.I LM35DZ | TI | 620K9 | TO-92 |
| PAC 100NF 100V 5% CL21B104JCCNNNC | SAMSUNG | AC3L01F | SMD0805 |
| PAC 100NF 50V 5% CL21B104JBCNNNC | SAMSUNG | AC1N08K | SMD0805 |
| Recherche 0805 3K3 1% RC0805FR-073K3L |
YAGEO | 1615 | SMD0805 |
| DIODO ES1D-E3-61T | VISHAY | 1423/ED | SMA |
| C.I DAC 5571IDBVT | TI | D571 | SOT23-6 |
| C.I AME1085ACDT3 | AME | 36 | TO-263 |
| C.I LPC1788FBD208,551 | 1549 | LQFP-208 | |
| C.I MC34063EBD-TR | St | E9812 | SOP-8 |
| C.I 74HC244DB, 118 | 1418 | SSOP-20 | |
| DIODO TPD4E001DBVR | TI | NFYF | SOT23-6 |
| C.I BD9781HFP-TR | ROHM | 807/808 | TO-263 |
| RELE G8P-1A4P-DC12 | OMRON | 29X5C1 | IMMERSION |
| OPTOACOPLADOR VOM617A-3T | VISHAY | V442 | SOP-4 |
| TRANS. FDS6699S | FSC | PG9AF | SOP-8 |
| CI M24C04-WMN6TP | St | K314S | SOP-8 |
| CI LP2951-50DR | TI | KY5150/61MADTT | SOP-8 |
| DIODO VESD05-02V-G-08MEPC | VISHAY | VC | SOD523 |
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