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Entrée NI porte du triple 3 capacité ultra-rapide de sortie de dispositifs de la SI-porte CMOS 74HC27D, 653

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
NI la Manche 14-SO d'IC 3 de porte
Catégorie:
Puces de circuits intégrés
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température de stockage:
°C -55 à +150
Température de fonctionnement:
°C -55 à +100
La température de soudure de vague (voir la page 14 pour des profils de soudure de ré-écoulement):
260 pour le °C de 10 sec
La dissipation de puissance totale de dispositif @ MERCI = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C:
250 mW
DC/Average a en avant entré actuel:
100 (non-M), 60 (- M) mA
Point culminant:

electronic chip board

,

electronic components ic

Introduction

Entrée NI porte 74HC/HCT27 du triple 3


CARACTÉRISTIQUES

• Capacité de sortie : norme

• Catégorie ICC : SSI

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Les 74HC/HCT27 sont les dispositifs ultra-rapides de la SI-porte CMOS et sont goupille compatible avec la puissance faible Schottky TTL (LSTTL). Ils sont spécifiés conformément à no. standard 7A de JEDEC. Les 74HC/HCT27 fournissent les 3 entrée NI fonction.

Notes

1. La DPC est employée pour déterminer la dissipation de puissance dynamique (palladium dans le µW) : × du × VCC2 de palladium = de DPC fi + ∑ (× FO de × VCC2 de CL) où : fréquence de fi = d'entrée dans le mégahertz fréquence des FO = de la sortie dans le ∑ de mégahertz (× FO de × VCC2 de CL) = somme de capacité de charge de CL = de sortie de sorties dans PF VCC = tension d'alimentation dans V

2. Pour HC la condition est VI = la terre à VCC pour HCT que la condition est VI = la terre VCC au − 1,5 V

SYMBOLE PARAMÈTRE CONDITIONS

TYPIQUE

UNITÉ
HC HCT
tPLH de tPHL/ Na de retard de propagation, NOTA:, OR au nY CL = 15 PF ; VCC = 5 V 8 10 NS
Ci capacité d'entrée 3,5 3,5 PF
DPC capacité de dissipation de puissance par porte notes 1 et 2 24 30 PF

FORMES D'ONDE À C.A.

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MOQ:
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