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Ordinateur Chip Board de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti 2.5W (merci) extérieur du N-canal 30 V 14.5A (ventres) 8-SOIC
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T à l'avance ou d'autres
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
30V
Ligne principale:
IC, module, transistor, diodes, condensateur, résistance etc.
Tension de Porte-source:
±20V
La température:
-50-+150°C
Paquet d'usine:
2500PCS/REEL
Paquet:
SOP-8
Point culminant:

electronic chip board

,

electronic components ic

Introduction

Ordinateur Chip Board de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N

actions originales de composants électroniques de PowerTrench FDS6676AS du N-canal 30V

Description générale

Le FDS6676AS est conçu pour remplacer un transistor MOSFET SO-8 et une diode simples de Schottky dans synchrone

C.C : Approvisionnements d'alimentation CC. Ce transistor MOSFET 30V est conçu pour maximiser l'efficacité de conversion de puissance, fournissant un bas RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Le FDS6676AS inclut une diode intégrée de Schottky utilisant la technologie monolithique de SyncFET de Fairchild.

Applications

• Convertisseur de DC/DC

• Bas carnet latéral

Caractéristiques

• A 14,5, 30 mΩ du max= 6,0 de V. le RDS (DESSUS) @ VGS = 10 mΩ du max= 7,25 de V le RDS (DESSUS) @ VGS = 4,5 V

• Inclut la diode de corps de SyncFET Schottky

• Basse charge de porte (45nC typiques)

• Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS) et la commutation rapide

• Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle

Capacités absolues TA=25o C sauf indication contraire

Symbole Paramètre Estimation Unité
VDSS Tension de Drain-source 30 V
VGSS Tension de Porte-source ±20 V
Identification

Vidangez actuel – continu (note 1a)

– Pulsé

14,5
50
Palladium

Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a)

(Note 1B)

(Note 1c)

2,5 W
1,5
1
TJ, TSTG Température ambiante de jonction d'opération et de stockage – 55 à +150 °C

Caractéristiques thermiques

RθJA Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 1a) 50 W/°C
RθJC Résistance thermique, Jonction-à-cas (note 1) 25

Inscription et information de commande de paquet

Repérage de dispositif Dispositif Taille de bobine Largeur de bande Quantité
FDS6676AS FDS6676AS 13" 12MM 2500 unités
FDS6676AS FDS6676AS_NL 13" 12MM 2500 unités

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