MT29F4G08ABADAWP: D TR Program Ic Puce Couleur TV Ic Mémoire Flash Puce Redresseur Diode
ic programmer circuit
,programmable audio chip
4 Go, 8 Go, 16 Go : mémoire flash NAND x8, x16
MT29F4G08ABADAH4, MT29F4G08ABADAWP, MT29F4G08ABBDAH4, MT29F4G08ABBDAHC, MT29F4G16ABADAH4, MT29F4G16ABADAWP, MT29F4G16ABBDAH4, MT29F4G16ABBDAHC, MT29F8G08ADADAH 4, MT29F8G08ADBDAH4, MT29F8G16ADADAH4, MT29F8G16ADBDAH4, MT29F16G08AJADAWP
CARACTÉRISTIQUES:
• Conforme à la norme Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.01
• Technologie de cellule à un seul niveau (SLC)
• Organisation
– Taille de la page x8 : 2112 octets (2048 + 64 octets)
– Taille de la page x16 : 1056 mots (1024 + 32 mots)
– Taille de bloc : 64 pages (128K + 4K octets)
– Taille de l'avion : 2 avions x 2048 blocs par avion
– Taille de l'appareil : 4 Go : 4 096 blocs ;8 Go : 8 192 blocs 16 Go : 16 384 blocs
• Performances d'E/S asynchrones
– tRC/tWC : 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
• Performances de la baie
– Lire page : 25µs 3
– Page de programme : 200 µs (type : 1,8 V, 3,3 V)3
– Bloc d'effacement : 700µs (TYP)
• Jeu de commandes : protocole ONFI NAND Flash
• Jeu de commandes avancées
– Mode cache de page de programme4
– Lire le mode cache de page 4
– Mode programmable une seule fois (OTP)
– Commandes à deux plans 4
– Opérations de matrices entrelacées (LUN)
– Lire l'identifiant unique – Bloquer le verrouillage (1,8 V uniquement)
– Déplacement de données internes
• L'octet d'état de fonctionnement fournit une méthode logicielle pour détecter
– Achèvement de l'opération – Condition de réussite/échec
– Statut de protection en écriture
• Le signal Ready/Busy# (R/B#) fournit une méthode matérielle de détection de l'achèvement de l'opération
• Signal WP# : protection en écriture de l'ensemble de l'appareil
• Le premier bloc (adresse de bloc 00h) est valide lorsqu'il est expédié de l'usine avec ECC.
Pour l'ECC minimum requis, voir Gestion des erreurs.
• Le bloc 0 nécessite un ECC 1 bit si les cycles PROGRAM/ERASE sont inférieurs à 1000
• RESET (FFh) requis comme première commande après la mise sous tension
• Autre méthode d'initialisation de l'appareil (Nand_Init) après la mise sous tension (contacter l'usine)
• Opérations de déplacement de données internes prises en charge dans le plan à partir duquel les données sont lues
• Qualité et fiabilité – Conservation des données : 10 ans – Endurance : 100 000 cycles PROGRAM/ERASE
• Plage de tension de fonctionnement - VCC : 2,7 – 3,6 V - VCC : 1,7 – 1,95 V
• Température de fonctionnement :
– Commercial : 0°C à +70°C
– Industriel (IT) : –40ºC à +85ºC
• Boîtier : TSOP 48 broches de type 1, CPL2
– VFBGA 63 billes
| NOTES MAXIMALES ABSOLUES(1) |
|
Tension d'alimentation (VIN)..................................–0,3 V à 6V |
| TRANS BC847BLT1 | 18000 | SUR | CHINE |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINE |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINE |
| DIODE DF06S | 3000 | SEP | CHINE |
| CHAPEAU 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPON |
| DIODE US1A-13-F | 50000 | DIODES | MALAISIE |
| INDUTEUR.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPON |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINE |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINE |
| DIODE P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALAISIE |
| RES 1206 470R 5 % RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINE |
| MUNITIONS DIODO UF4007 | 500000 | micro | CHINE |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAÏWAN |
| RÉS 0805 4K7 5 % RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CHINE |
| ACOPLADOR OTICO.MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAÏWAN |
| TRANSMMBT2907A-7-F | 30000 | DIODES | MALAISIE |
| TRANS STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALAISIE |
| CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | THAÏLANDE |
| CI MC33298DW | 1000 | CT | MALAISIE |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALAISIE |
| IC P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPON |
| CI HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPON |
| CI DS1230Y-150 | 2400 | DALLAS | PHILIPPINES |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAÏWAN |
| TRIAC BT151-500R | 500000 | MAROC | |
| CI HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAÏWAN |
| TRIAC TIC116M | 10000 | TI | THAÏLANDE |
| DIODE US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALAISIE |
| DIODE ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALAISIE |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAÏWAN |
| CI CD40106BE | 250 | TI | THAÏLANDE |
| ACOPLATEUR PC733H | 1000 | POINTU | JAPON |
| TRANS NDT452AP | 5200 | FSC | MALAISIE |
| CI LP2951-50DR | 1200 | TI | THAÏLANDE |
| CIMC7809CD2TR4G | 1200 | SUR | MALAISIE |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | SUR | MALAISIE |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAÏWAN |
| IC TPIC6595N | 10000 | TI | THAÏLANDE |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALAISIE |
| DIODE 1N4004-T | 5000000 | micro | CHINE |
| CI CD4060BM | 500 | TI | THAÏLANDE |
| ACOPLATEUR MOC3020M | 500 | FSC | MALAISIE |
| DIODE W08 | 500 | SEP | CHINE |
| CI SN74HC373N | 1000 | TI | PHILIPPINES |
| CAPTEUR PHOTO 2SS52M | 500 | miel | JAPON |
| CI SN74HC02N | 1000 | TI | THAÏLANDE |
| CI CD4585BE | 250 | TI | THAÏLANDE |
| CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | MICRON | MALAISIE |
| DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | SUR | MALAISIE |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485