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MB85RS256BPNF-G-JNERE1 puces IC programmables puce électronique Ic couleur TV Ic puce mémoire Flash

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Mémoire IC 256Kbit SPI de FRAM (RAM ferroélectrique) 33 mégahertz 8-SOP
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température ambiante:
– 20°C à +85°C
terme de paiement:
T/T, Paypal, Western Union
Tension:
3V à 3.6V
Actuel:
5A
Paquet:
SOP-8
Paquet d'usine:
Bobine
Point culminant:

programming ic chips

,

programmable audio chip

Introduction

MB85RS256BPNF-G-JNERE1 Programme Ic Puce électronique IC

Mémoire FRAM CMOS 256 Ko (32 Ko ] 8) Bit SPI


CARACTÉRISTIQUES:
• Configuration des bits : 32 768 × 8 bits

• Tension d'alimentation de fonctionnement : 3,0 V à 3,6 V

• Fréquence de fonctionnement : 15 MHz (Max)

• Serial Peripheral Interface : SPI (Serial Peripheral Interface) Correspondant au SPI mode 0 (0, 0) et mode 3 (1, 1)

• Plage de température de fonctionnement : −20 °C à +85 °C

• Conservation des données : 10 ans (+55 °C)

• Haute endurance 10 milliards de lectures/écritures (Min)

• Boîtier : SOP en plastique à 8 broches (FPT-8P-M02)
 
Description générale
     

MB85RS256 est une puce FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) dans une configuration de 32 768 mots × 8 bits, utilisant les technologies de processus ferroélectrique et de processus CMOS à grille de silicium pour former les cellules de mémoire non volatile.

       

MB85RS256 adopte l'interface périphérique série (SPI).Contrairement à la SRAM, le MB85RS256 est capable de conserver les données sans batterie de secours.Les cellules de mémoire utilisées pour le MB85RS256 ont amélioré au moins 1010 fois l'opération de lecture/écriture, surpassant de manière significative la mémoire Flash et l'E2PROM en nombre.

 

Le MB85RS256 ne prend pas beaucoup de temps pour écrire des données contrairement aux mémoires Flash ni aux E2PROM, et le MB85RS256 ne prend pas de temps d'attente.

 

NOTES MAXIMALES ABSOLUES(1)

Tension d'alimentation VDD 3,0 3,3 3,6 V

Entrée haute tension VIH 0,8 × VDD ⎯ VDD + 0,5 V

Basse tension d'entrée VIL − 0,5 ⎯ + 0,6 V

Température de fonctionnement TA − 20 ⎯ + 85 °C

 
 

TRANS BC847BLT1 18000 SUR CHINE
RC0805JR-0710KL 35000 YAGEO CHINE
RC0805JR-071KL 20000 YAGEO CHINE
DIODE DF06S 3000 SEP CHINE
CHAPEAU 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB 20000 TDK JAPON
DIODE US1A-13-F 50000 DIODES MALAISIE
INDUTEUR.100UH SLF7045T-101MR50-PF 10000 TDK JAPON
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL 500000 YAGEO CHINE
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML 500000 YAGEO CHINE
DIODE P6KE180A 10000 VISHAY MALAISIE
RES 1206 470R 5 % RC1206JR-07470RL 500000 YAGEO CHINE
MUNITIONS DIODO UF4007 500000 micro CHINE
TRANS.ZXMN10A09KTC 20000 ZETEX TAÏWAN
RÉS 0805 4K7 5 %
RC0805JR-074K7L
500000 YAGEO CHINE
ACOPLADOR OTICO.MOC3021S-TA1 10000 LITE-ON TAÏWAN
TRANSMMBT2907A-7-F 30000 DIODES MALAISIE
TRANS STGW20NC60VD 1000 ST MALAISIE
CI LM2576HVT-ADJ/NOPB 500 TI THAÏLANDE
CI MC33298DW 1000 CT MALAISIE
CI MC908MR16CFUE 840 FREESCAL MALAISIE
IC P8255A5 4500 INTEL JAPON
CI HM6116P-2 5000 HITACHI JAPON
CI DS1230Y-150 2400 DALLAS PHILIPPINES
TRANS.ZXMN10A09KTC 18000 ZETEX TAÏWAN
TRIAC BT151-500R 500000 MAROC
CI HCNR200-000E 1000 AVAGO TAÏWAN
TRIAC TIC116M 10000 TI THAÏLANDE
DIODE US1M-E3/61T 18000 VISHAY MALAISIE
DIODE ES1D-E3-61T 18000 VISHAY MALAISIE
CI MC908MR16CFUE 840 FREESCAL TAÏWAN
CI CD40106BE 250 TI THAÏLANDE
ACOPLATEUR PC733H 1000 POINTU JAPON
TRANS NDT452AP 5200 FSC MALAISIE
CI LP2951-50DR 1200 TI THAÏLANDE
CIMC7809CD2TR4G 1200 SUR MALAISIE
DIODO MBR20200CTG 22000 SUR MALAISIE
FUSIVEL 30R300UU 10000 LITTELFUSEI TAÏWAN
IC TPIC6595N 10000 TI THAÏLANDE
EPM7064STC44-10N 100 ALTERA MALAISIE
DIODE 1N4004-T 5000000 micro CHINE
CI CD4060BM 500 TI THAÏLANDE
ACOPLATEUR MOC3020M 500 FSC MALAISIE
DIODE W08 500 SEP CHINE
CI SN74HC373N 1000 TI PHILIPPINES
CAPTEUR PHOTO 2SS52M 500 miel JAPON
CI SN74HC02N 1000 TI THAÏLANDE
CI CD4585BE 250 TI THAÏLANDE
CI MT46H32M16LFBF-6IT:C 40 MICRON MALAISIE
DIODO MMSZ5242BT1G 30000 SUR MALAISIE

 
 

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