M93S46-WMN6TP EEPROM d'accès série MICROWIRE avec protection de bloc

M93S46-WMN6TP EEPROM d'accès série MICROWIRE avec protection de bloc

RÉSUMÉ DES CARACTÉRISTIQUES

Bus MICROWIRE standard de l'industrie

Tension d'alimentation simple : – 4,5 à 5,5 V pour M93Sx6 – 2,5 à 5,5 V pour M93Sx6-W – 1,8 à 5,5 V pour M93Sx6-R Organisation simple : par mot (x16)

Instructions de programmation qui fonctionnent sur : mot ou mémoire entière

Cycle de programmation temporisé avec AutoErase

Zone protégée en écriture définie par l'utilisateur

Mode d'écriture de page (4 mots)

Signal prêt/occupé pendant la programmation

Vitesse:

– Fréquence d'horloge de 1 MHz, temps d'écriture de 10 ms (produit actuel, identifié par la lettre d'identification de processus F ou M) – Fréquence d'horloge de 2 MHz, temps d'écriture de 5 ms (nouveau produit, identifié par la lettre d'identification de processus W ou G) Opération de lecture séquentielle

Comportement ESD/Latch-Up amélioré

Plus d'un million de cycles d'effacement/écriture

Plus de 40 ans de conservation des données

DESCRIPTION SOMMAIRE

Cette spécification couvre une gamme de produits EEPROM (mémoire programmable effaçable électriquement) série 4K, 2K, 1K bits (respectivement pour M93S66, M93S56, M93S46).Dans ce texte, ces produits sont collectivement appelés M93Sx6.

Le M93Sx6 est accessible via une entrée série (D) et une sortie (Q) utilisant le protocole de bus MICROWIRE.La mémoire est divisée en 256, 128, 64 mots de 16 bits (respectivement pour M93S66, M93S56, M93S46).Le M93Sx6 est accessible par un ensemble d'instructions qui comprend la lecture, l'écriture, l'écriture de page, l'écriture complète et les instructions utilisées pour définir la protection de la mémoire.Ceux-ci sont résumés dans le tableau 2. et le tableau 3.).Une instruction Read Data from Memory (READ) charge l'adresse du premier mot à lire dans un pointeur d'adresse interne.Les données contenues à cette adresse sont alors cadencées en série.Le pointeur d'adresse est automatiquement incrémenté après la sortie des données et, si l'entrée de sélection de puce (S) est maintenue à l'état haut, le M93Sx6 peut sortir un flux séquentiel de mots de données.De cette manière, la mémoire peut être lue sous forme de flux de données de 16 à 4096 bits (pour le M93S66), ou en continu car le compteur d'adresses passe automatiquement à 00h lorsque l'adresse la plus élevée est atteinte.Dans le temps requis par un cycle de programmation (tW), jusqu'à 4 mots peuvent être écrits à l'aide de l'instruction Page Write.la totalité de la mémoire peut également être effacée, ou définie sur un modèle prédéterminé, en utilisant l'instruction Write All.Dans la mémoire, une zone définie par l'utilisateur peut être protégée contre d'autres instructions d'écriture.La taille de cette zone est définie par le contenu d'un registre de protection, situé à l'extérieur de la matrice mémoire.Comme dernière étape de protection, les données peuvent être protégées de manière permanente en programmant un bit de programmation unique (bit OTP) qui verrouille le contenu du registre de protection.La programmation est temporisée en interne (le signal d'horloge externe sur l'horloge série (C) peut être arrêté ou laissé fonctionner après le début d'un cycle d'écriture) et ne nécessite pas de cycle d'effacement avant l'instruction d'écriture.L'instruction d'écriture écrit 16 bits à la fois dans l'un des emplacements de mot du M93Sx6, l'instruction d'écriture de page écrit jusqu'à 4 mots de 16 bits dans des emplacements séquentiels, en supposant dans les deux cas que toutes les adresses sont en dehors de la zone protégée en écriture.Après le début du cycle de programmation, un signal Occupé/Prêt est disponible sur la sortie de données série (Q) lorsque l'entrée de sélection de puce (S) est à l'état haut.