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Circuit intégré de régulateur de terminaison DDR-II de puce de circuit intégré LP2997MRX ic de circuit intégré

fabricant:
Les instruments du Texas
Description:
Terminateur PMIC 8-SO PowerPad de DDR-II
Catégorie:
Gestion IC de puissance
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
temp de stockage.:
−65˚C à +150˚C
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:
150˚C
La température d'avance (soudure, sec 10):
260˚C
Résistance SO-8 thermique:
151˚C/W
Résistance PSOP-8 thermique:
43˚C/W
Estimation minimum d'ESD:
1kv
Point culminant:

integrated circuit ic

,

integrated circuit components

Introduction

 

Régulateur de terminaison DDR-II LP2997

 

Description générale

Le régulateur linéaire LP2997 est conçu pour répondre aux spécifications JEDEC SSTL-18 pour la terminaison de la mémoire DDR-II.Le dispositif contient un amplificateur opérationnel à grande vitesse pour fournir une excellente réponse aux transitoires de charge.L'étage de sortie empêche les tirs tout en fournissant un courant continu de 500 mA et des pics transitoires jusqu'à 900 mA dans l'application, comme requis pour la terminaison SDRAM DDR-II.Le LP2997 intègre également une broche VSENSE pour fournir une régulation de charge supérieure et une sortie VREF comme référence pour le chipset et les modules DIMM.

 

Une fonctionnalité supplémentaire trouvée sur le LP2997 est une broche active d'arrêt bas (SD) qui fournit la fonctionnalité Suspend To RAM (STR).Lorsque SD est tiré vers le bas, la sortie VTT sera à trois états fournissant une sortie à haute impédance, mais VREF restera active.Un avantage d'économie d'énergie peut être obtenu dans ce mode grâce à un courant de repos plus faible.

 

Caractéristiques

• Courant source et puits

• Faible décalage de tension de sortie

• Aucune résistance externe requise

• Topologie linéaire

• Fonctionnalité Suspend to Ram (STR)

• Faible nombre de composants externes

• Arrêt thermique

• Disponible en packs SO-8, PSOP-8

 

Applications

• Tension de terminaison DDR-II

• Résiliation SSTL-18

 

Circuit d'application typique

 

 

Schémas de connexion

 

 

Notes maximales absolues(Note 1)

Si des dispositifs militaires/aérospatiaux sont requis, veuillez contacter le bureau de vente/les distributeurs de National Semiconductor pour connaître la disponibilité et les spécifications.

 

PVIN, AVIN, VDDQ à GND

Aucune broche ne doit dépasser AVIN −0,3V à +6V

Temp.Plage −65˚C à +150˚C

Température de jonction 150˚C

Température du plomb (soudage, 10 sec) 260˚C

SO-8 Résistance thermique (θJA) 151˚C/W

Résistance thermique PSOP-8 (θJA) 43˚C/W

Classement ESD minimum (Remarque 2) 1kV

 

Plage de fonctionnement

Température de jonctionPlage (Remarque 3) 0˚C à +125˚C

AVIN à GND 2.2V à 5.5V


 

 

 

 

Offre d'achat d'actions (vente à chaud)

Réf. Quantité Marque D/C Emballer
2N3904 5120 FSC 14+ TO-92
IRF7104 5120 IR 14+ POS8
IRFP460 5120 IR 14+ TO-247
M57962AL 5120 MITSUMI 16+ ZIP-12
MAX483CPA 5120 MAXIME 16+ DIP-8
MCP6002-I/P 5120 MICROCHI 13+ PLONGER
P6SMB15CA 5120 SUR 15+ PME
TNY267PN 5120 POUVOIR 16+ DIP-7
TNY278PN 5120 POUVOIR 16+ DIP-7
MM74C923 5122 FSC 14+ AMADOUER
LT3467AES6 5140 LT 14+ SOT236
IRFP450 5166 IR 14+ TO-247
MC33153P 5187 SUR 16+ DIP8
ADM706ARZ 5200 PUBLICITÉ 16+ AMADOUER
C9014 5200 KEC 13+ TO-92
EV1527 5200 VE 15+ POS8
FSCQ1565RTYDTU 5200 FAIRCHILD 16+ TO220
KA7824 5200 FSC 16+ TO-220
LD1117AL-1.2VA 5200 UTC 14+ SOT-223
LM324N 5200 TI 14+ DIP14
LM741CN 5200 N.-É. 14+ DIP-8
OPA335AIDBV 5200 TI 16+ SOT23-5
SN75LBC184DR 5200 TI 16+ POS-8
TPC8111 5200 TOSHIBA 13+ POS8
MW4IC2230NB 5201 ÉCHELLE LIBRE 15+ CMS
TL494 TI DIP 5201 TI 16+ PLONGER
TOP222PN 5212 POUVOIR 16+ DIP8
TPA3113D2PWPR 5212 TI 14+ TSSOP28
2SD1410 5222 TOSHIBA 14+ TO-220F
AM26LV32CD 5240 TI 14+ POS16

 

 

 

 

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