CY7C1372D-167AXI Puce de circuit intégré SRAM canalisée 18 Mbits

CY7C1370D

CY7C1372D

SRAM pipelinée 18 Mbits (512K x 36/1M x 18) avec architecture NoBL™

Caractéristiques

• Broches compatibles et fonctionnellement équivalentes à ZBT™

• Prend en charge les opérations de bus de 250 MHz avec zéro état d'attente

— Les niveaux de vitesse disponibles sont 250, 225, 200 et 167 MHz

• Contrôle du tampon de sortie à temporisation interne pour éliminer le besoin d'utiliser un OE asynchrone

• Entièrement enregistré (entrées et sorties) pour un fonctionnement en pipeline

• Capacité d'écriture d'octets

• Alimentation électrique unique de 3,3 V

• Alimentation 3,3 V/2,5 VI/S

• Temps d'horloge à sortie rapides

— 2,6 ns (pour appareil 250 MHz)

— 2,8 ns (pour appareil 225 MHz)

— 3,0 ns (pour appareil 200 MHz)

— 3,4 ns (pour appareil 167 MHz)

• Broche d'activation de l'horloge (CEN) pour suspendre le fonctionnement

• Écritures synchronisées synchrones

• Disponible en boîtiers sans plomb 100 TQFP, 119 BGA et 165 fBGA

• Balayage des limites IEEE 1149.1 JTAG

• Capacité de rafale : ordre de rafale linéaire ou entrelacé

• Option de mode veille "ZZ" et option d'horloge d'arrêt

mode d'emploi

Les CY7C1370D et CY7C1372D sont respectivement des SRAM en rafales pipeline synchrones de 3,3 V, 512 K x 36 et 1 Mbit x 18 avec logique No Bus Latency™ (NoBL™).Ils sont conçus pour prendre en charge un nombre illimité d'opérations de lecture/écriture consécutives réelles sans états d'attente.Les CY7C1370D et CY7C1372D sont équipés de la logique avancée (NoBL) requise pour permettre des opérations de lecture/écriture consécutives avec des données transférées à chaque cycle d'horloge.Cette fonctionnalité améliore considérablement le débit des données dans les systèmes qui nécessitent de fréquentes transitions écriture/lecture.Les CY7C1370D et CY7C1372D sont compatibles avec les broches et fonctionnellement équivalents aux appareils ZBT.

Toutes les entrées synchrones passent par des registres d'entrée commandés par le front montant de l'horloge.Toutes les sorties de données passent par des registres de sortie contrôlés par le front montant de l'horloge.L'entrée d'horloge est qualifiée par le signal Clock Enable (CEN) qui, lorsqu'il est désactivé, suspend le fonctionnement et prolonge le cycle d'horloge précédent.

Les opérations d'écriture sont contrôlées par les Byte Write Selects (BW_un–BW_dpour CY7C1370D et BW_un–BW_bpour CY7C1372D) et une entrée d'activation d'écriture (WE).Toutes les écritures sont effectuées avec un circuit d'écriture auto-temporisé synchrone sur puce.

Trois validations de puce synchrones (CE1, CE2, CE3) et une validation de sortie asynchrone (OE) permettent une sélection facile de la banque et un contrôle à trois états de sortie.Afin d'éviter les conflits de bus, les pilotes de sortie sont à trois états synchrones pendant la partie données d'une séquence d'écriture.

Schéma fonctionnel logique-CY7C1370D (512K x 36)

Schéma fonctionnel logique-CY7C1372D (1 Mbit x 18)

Notes maximales

(Au-delà de laquelle la durée de vie utile peut être altérée. Pour les directives d'utilisation, non testé.)

Température de stockage ................................................ .......................–65°C à +150°C

Température ambiante sous tension............................................–55°C à +125°C

Tension d'alimentation sur VDD par rapport à GND ................................................ .-0,5V à +4,6V

CC vers les sorties en mode Tri-State ...................................... .......... –0,5 V à VDDQ + 0,5 V

Tension d'entrée CC.................................................. .........................–0,5 V à VDD + 0,5 V

Courant dans les sorties (BAS) ................................................ ................................ 20mA

Tension de décharge statique .................................................. ............................... > 2001V

(selon MIL-STD-883, méthode 3015)

Courant de verrouillage .................................................. .......................................... > 200mA

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