Mémoire de programme de puce de circuit intégré TPD4E001DBVR IC Chip
electronics ic chip
,integrated circuit components
Matrice de protection ESD à 4 canaux avec une capacité d'E/S de 1,5 pF
Caractéristiques
Réseau de pinces ESD à 4 canaux pour améliorer
Protection ESD au niveau du système
• Dépasse les exigences de protection ESD IEC61000-4-2 (niveau 4)
– Décharge de contact ±8 kV CEI 61000-4-2
– ±15 kV CEI 61000-4-2 Décharge à entrefer
• Modèle du corps humain (HBM) ± 15 kV
• Courant d'impulsion de crête de 5,5 A (impulsion 8/20 us)
• Faible capacité d'entrée de 1,5 pF
• Courant de fuite faible de 1 nA (max.)
• Plage de tension d'alimentation de 0,9 V à 5,5 V
• Options de package DRL, DBV, DCK et DRS peu encombrants
DESCRIPTION/INFORMATIONS DE COMMANDE
Le TPD4E001 est un réseau de diodes de protection ESD à faible capacité ± 15 kV conçu pour protéger les composants électroniques sensibles connectés aux lignes de communication.Chaque canal se compose d'une paire de diodes qui orientent les impulsions de courant ESD vers VCC ou GND.
Le TPD4E001 protège contre les impulsions ESD jusqu'à ± 15 kV du modèle du corps humain (HBM), ± 8 kV de décharge de contact et ± 15 kV de décharge d'entrefer, comme spécifié dans la norme CEI 61000-4-2.Cet appareil a une capacité d'E/S de 1,5 pF par canal, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans les interfaces d'E/S de données à haut débit.
Le courant de fuite ultra faible (<1 nA max) convient aux mesures analogiques de précision dans des applications telles que les glucomètres, les moniteurs de fréquence cardiaque, etc. Le TPD4E001 est disponible en DRL, DBV (SOT-23), DCK (SC-70), et DRS (QFN) et est spécifié pour un fonctionnement entre –40°C et 85°C.
NOTES MAXIMALES ABSOLUES(1) |
VCC –0,3 7 V VI/O
Tolérance de tension IO –0,3 VCC + 0,3 V
Tstg Plage de température de stockage –65 150 °C
TJ Température de jonction 150 °C
Infrarouge (15 s) 220 Température de choc (soudure) °C
Phase vapeur (60 s) 215
Température du plomb (soudure, 10 s) 300 °C
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PARTIE DE STOCK
ATMEGA328P-MU | TLP620GB |
RX73BW3ATTE620J | LPC812M101JDH20FP |
1SMA5932BT3G | ESDA6V1L |
BC856BT | TLC59283DBQR |
SN74LS244N | CA3140EZ |
ADA4528-2ARMZ | IRFZ46NPBF |
OPA07CSZ | IRF4905PBF |
742792118* | A30-400 |
OPA333AIDCKR | A30-500 |
SAK-C167CS-LMCA | A30-600 |
ATM46C3 | A30-800 |
A2C56211 | HFJ11-2450E-L21 |
U705 SDIC03 | CR2354/HFN |
BP3125 | TMS320VC5402PGE100 |
PIC16F883-I/SO | PCA9534DW |
PIC16F883-I/SO | BD677A |
IRFPE50 | TZM5237B-GS08 |
VT6315N | TZM5256B-GS08 |
SKA3/17 | TOP232PN |
STK672-040E | IS31AP4991-GRLSZ-TR |
AM29F400BT-70ED | NCS2211DR2G |
TL7705ACDR | LM4861MX |

La basse Manche SOT143 de la rangée 2 de protection d'Esd de capacité de TPD2E001DZDR

Dispositif de protection de la Manche SOT23-6 500mW ESD du quadruple TPD4E1U06

CC2420RGZT Mémoire flash IC Nouveau et original

CC2541F256RHAR mémoire flash IC Nouveau et original stock

Émetteur-récepteur électronique de la puissance rf de Chips Single Chip Very Low de circuit intégré de CC1000PW

Capteurs de température centigrades de précision électronique de circuit intégré de LM35DM
Image | partie # | Description | |
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La basse Manche SOT143 de la rangée 2 de protection d'Esd de capacité de TPD2E001DZDR |
Clamp Ipp Tvs Diode Surface Mount 4-SOP
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Dispositif de protection de la Manche SOT23-6 500mW ESD du quadruple TPD4E1U06 |
15V (Typ) Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SOT-23-6
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CC2420RGZT Mémoire flash IC Nouveau et original |
IC RF TxRx Only 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN Exposed Pad
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CC2541F256RHAR mémoire flash IC Nouveau et original stock |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.0 2.4GHz 40-VFQFN Exposed Pad
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Émetteur-récepteur électronique de la puissance rf de Chips Single Chip Very Low de circuit intégré de CC1000PW |
IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Capteurs de température centigrades de précision électronique de circuit intégré de LM35DM |
Temperature Sensor Analog, Local 0°C ~ 100°C 10mV/°C 8-SOIC
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