TPCA8109 (TE12L1, mémoire de programme de puce de circuit intégré de puce V IC
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
P-canal 30 V 24A (ventres) 1.6W (merci), avance extérieure du bâti 30W (comité technique) 8-SOP (5x5
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température ambiante:
°C -50 à +150
terme de paiement:
T/T, Paypal, Western Union
Tension:
30V
Actuel:
5A
Paquet:
SOP-8
Paquet d'usine:
Bobine
Point culminant:
electronics ic chip
,integrated circuit ic
Introduction
Type MOS de canal P de silicium de transistor à effet de champ (U-MOSⅥ)TPCA8109Applications de batterie au lithium-ion Applications de commutateur de gestion de l'alimentation
Caractéristiques
• Faible encombrement grâce à un boîtier petit et fin
• Faible résistance ON drain-source : RDS (ON) = 7 mΩ (typ.)
• Faible courant de fuite : IDSS = −10 μA (max) (VDS = −30 V)
• Mode d'amélioration : Vth = −0,8 à −2,0 V (VDS = −10 V, ID = −0,5 mA)
| NOTES MAXIMALES ABSOLUES(1) |
|
Tension drain-source VDSS −30 V
Tension drain-gate (RGS = 20 kΩ) VDGR −30 V
Tension grille-source VGSS −25/+20 V
DC (Remarque 1) ID −24 Courant de drain Pulsé (Remarque 1)
IDP −72 A Puissance dissipée drain (Tc=25°C) PD 30 W
Dissipation de puissance de drain (t = 10 s) (Remarque 2a) PD 2,8 W
Dissipation de puissance de drain (t = 10 s) (Remarque 2b) PD 1,6 W
Energie d'avalanche à impulsion unique (Remarque 3) EAS 75 mJ
Courant d'avalanche IAR −24 A
Température du canal Tch 150 °C
Plage de température de stockage Tstg −55 à 150 °C
|
PARTIE DE STOCK
| ATMEGA328P-MU | TLP620GB |
| RX73BW3ATTE620J | LPC812M101JDH20FP |
| 1SMA5932BT3G | ESDA6V1L |
| BC856BT | TLC59283DBQR |
| SN74LS244N | CA3140EZ |
| ADA4528-2ARMZ | IRFZ46NPBF |
| OPA07CSZ | IRF4905PBF |
| 742792118* | A30-400 |
| OPA333AIDCKR | A30-500 |
| SAK-C167CS-LMCA | A30-600 |
| ATM46C3 | A30-800 |
| A2C56211 | HFJ11-2450E-L21 |
| U705 SDIC03 | CR2354/HFN |
| BP3125 | TMS320VC5402PGE100 |
| PIC16F883-I/SO | PCA9534DW |
| PIC16F883-I/SO | BD677A |
| IRFPE50 | TZM5237B-GS08 |
| VT6315N | TZM5256B-GS08 |
| SKA3/17 | TOP232PN |
| STK672-040E | IS31AP4991-GRLSZ-TR |
| AM29F400BT-70ED | NCS2211DR2G |
| TL7705ACDR | LM4861MX |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs