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Puce de circuit intégré à micro-ondes de kits d'ingénierie de conception de LQW18AN56NG00D

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
noyau non protégé de tambour de 56 NH, inducteur bobiné 360 mA 350mOhm 0603 maximum (1608 métriques)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Connecteurs de commutateur montés par conseil:
MM8130-2600B 25
Sonde d'essai manuel:
MXHS83QE3000 1
Comité d'évaluation avec le récipient:
MM8130-2600B avec la carte PCB 1
D'instruction:
Guide 1 Non-déterminé
Point culminant:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Introduction

LQW18AN56NG00D KITS D'INGÉNIERIE DE CONCEPTION circuits intégrés micro-ondes

 

RPE 100 VDC et moins pour les applications commerciales et automobiles

Pour connaître la disponibilité, contactez votre contact commercial Murata.Les références des kits dépendent de l'application

 

■ Petites dimensions, grande capacité, et un rapport volume capacité de 10 F/cm cube, proche de celui des condensateurs électrolytiques.Ceux-ci n'ont pas de polarité.

■ D'excellentes caractéristiques de fréquence et en raison de ces petites inductances internes conviennent aux hautes fréquences.

■ Type à revêtement époxy peu inflammable, ayant des caractéristiques équivalentes à la norme UL94V-0.

■ Pas de polarité

■ Des tolérances dimensionnelles rigoureuses permettent un placement automatique des puces très fiable et à grande vitesse sur les circuits imprimés.

 

RDE 25, 50, 100, 250 et 630 VDC pour les applications commerciales

uniquement Pour vérifier la disponibilité auprès de votre contact commercial Murata.Les références des kits dépendent de l'application.

 

■ Petite taille et grande capacité

■ Faibles caractéristiques ESR pour haute fréquence

■ Type à revêtement époxy peu inflammable, ayant des caractéristiques équivalentes à la norme UL94V-0.

■ Pas de polarité

■ Application uniquement pour les équipements électroniques grand public.

 


 

 

LISTE DES STOCKS

TPS7233QP 10800 TI 16+ POSST-8
SI6435DQ 18024 VISHAY 13+ POSST-8
W9425G6JH-5 23316 WINBOND 16+ POSST-66
THC63LVDF84B 26760 A TOI 15+ POSST-56
SN74AVC20T245DGGR 2855 TI 16+ POSST-56
THC63LVDF64A-G 8798 A TOI 16+ POSST-48
SN74AHC16244DGGR 18073 TI 16+ POSST-48
SN74ALVC164245DGGR 12332 TI 14+ POSST-48
SN74AVC16T245DGGR 27180 TI 11+ POSST-48
SN74CBTD16210DGGR 45672 TI 16+ POSST-48
SN74LVCH16T245DGGR 18472 TI 16+ POSST-48
SN74LVTH16244ADGGR 10252 TI 10+ POSST-48
SN75LVDS84DGGR 2081 TI 02+ POSST-48
TB62254AFNG 21265 TOSHIBA 14+ POSST-48
TPD12S521DBTR 11104 TI 16+ POSST-38
TLV320AIC12KIDBTR 6886 TI 16+ POSST-30
TPS5124DBTR 5444 TI 07+ POSST-30
SN75C3243PWR 9792 TI 10+ POSST-28
TLC5940PWPR 6738 TI 15+ POSST-28
TLV320AIC23BIPWR 2612 TI 14+ POSST-28
TPA3111D1PWPR 10464 TI 11+ POSST-28
TPA3112D1PWPR 7034 TI 14+ POSST-28
WM8778SEDS 932 WOLFSON 13+ POSST-28
SN74AVC8T245PWR 10816 TI 16+ POSST-24
SN74CB3T3384PWR 9540 TI 11+ POSST-24
SN74LVC8T245DGVR 10184 TI 14+ POSST-24
SN74LVC8T245PWR 4096 TI 14+ POSST-24
SN74LVCC3245APWR 4380 TI 10+ POSST-24
TCA9555PWR 9876 TI 16+ POSST-24
TPS5110PWR 7478 TI 16+ POSST-24
TPS65150PWPR 10438 TI 16+ POSST-24
UCC28950PWR 2597 TI 16+ POSST-24
SN74ABT541BPWR 16066 TI 16+ POSST-20
SN74ACT244PWR 8546 TI 14+ POSST-20
SN74AHC373PWR 16394 TI 16+ POSST-20
SN74AHC541PWR 12380 TI 11+ POSST-20
SN74AHCT574PWR 11678 TI 16+ POSST-20
PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
50pcs