MOC3052M Puce de circuit intégré OPTOISOLATORS DRIVERS TRIAC
electronics ic chip
,integrated circuit components
Offre d'achat d'actions (vente à chaud)
Numéro de pièce | Quantité | Marque | D/C | Emballer |
PCA9515APWR | 17608 | TI | 10+ | POSST-8 |
PCA9535CPW | 15881 | 07+ | POSST-24 | |
PCA9535D | 9775 | 06+ | POS-24 | |
PCA9536D | 7718 | 06+ | POS-8 | |
PCA9632TK | 7689 | 13+ | POS-8 | |
PCF7936AS | 3348 | 14+ | SOT-385 | |
PCF7946AT | 4313 | 15+ | POS-14 | |
PCF85162T | 15952 | 16+ | POSST-48 | |
PCF8563P | 17396 | 16+ | DIP-8 | |
PCF8563T/5 | 8292 | 16+ | POS-8 | |
PCF8574AP | 3803 | 15+ | POSST-20 | |
PCF8574P | 5291 | 16+ | DIP-16 | |
PCF8576CT/1 | 12402 | 16+ | SSOP-56 | |
PCF8583T | 13254 | 16+ | POS-8 | |
PCF8593T | 8742 | PHILIPS | 04+ | POS-8 |
PCM1804DBR | 2863 | TI | 15+ | SSOP-28 |
PCM4202DBR | 2279 | TI | 15+ | SSOP-28 |
PD69104B1ILQ | 1812 | MICROSEMI | 14+ | QFN48 |
PDS5100-13 | 18019 | DIODES | 14+ | STD202 |
PDTC143ET | 9000 | 14+ | SOT-23 | |
PE-68828NLS | 3923 | IMPULSION | 16+ | POS-12 |
PEB3265HV1.5 | 7229 | 13+ | QFP64 | |
PEB4165TV1.1 | 9846 | INFINEO | 13+ | HSOP20 |
PEMH9 | 8000 | PHILIPS | 06+ | SOT666 |
PESD12VS5UD | 21000 | 10+ | SOT23-6 | |
PESD3V3L5UF | 63000 | 13+ | SOT-886 | |
PESD5V0F1USF | 64000 | 15+ | DSN0603-2 | |
PESD5V0S1BA | 21000 | 15+ | SOD-323 | |
PESD5V2S2UT | 12000 | 16+ | SOT-23 | |
PGB1010603MRHF | 61000 | LITTÉIFUS | 15+ | CMS0603 |
OPTOISOLATEURS À PHASE ALÉATOIRE DIP À 6 BROCHES COMMANDES DE TRIAC (600 VOLT PEAK)
MOC3051-M MOC3052-M
DESCRIPTION
Le MOC3051-M et le MOC3052-M se composent d'une diode émettrice infrarouge AlGaAs couplée optiquement à un commutateur CA bilatéral en silicium sans passage par zéro (triac).Ces dispositifs isolent la logique basse tension des lignes 115 et 240 Vca pour fournir un contrôle de phase aléatoire des triacs ou thyristors à courant élevé.Ces dispositifs présentent une capacité dv/dt statique grandement améliorée pour assurer des performances de commutation stables des charges inductives.
CARACTÉRISTIQUES
• Excellent jeFTstabilité - la diode émettrice d'IR a une faible dégradation
• Tension d'isolement élevée—minimum 7 500 V CA de crête
• Underwriters Laboratory (UL) reconnu—Fichier #E90700
• Tension de blocage de crête de 600 V
• VDE reconnu (fichier #94766)
- Option de commande V (par exemple MOC3052V-M)
APPLICATIONS
• Commandes de solénoïde/vanne
• Ballasts de lampe
• Interrupteur d'alimentation CA statique
• Interfaçage des microprocesseurs aux périphériques 115 et 240 Vac
• Relais statique
• Gradateurs pour lampes à incandescence
• Contrôles de température
• Commandes moteur
NOTES MAXIMALES ABSOLUES(TUN= 25°C sauf indication contraire)
Paramètres | Symbole | Appareil | Valeur | Unités |
DISPOSITIF TOTAL Température de stockage |
JGTS |
Tous |
-40 à +150 |
°C |
Température de fonctionnement | JOPR | Tous | -40 à +85 | °C |
Température de soudure au plomb | JSOL | Tous | 260 pendant 10 secondes | °C |
Plage de température de jonction | JJ | Tous | -40 à +100 | °C |
Tension de surtension d'isolement(3)(tension AC crête, 60Hz, durée 1 sec) | VISO | Tous | 7500 | VCA(pk) |
Dissipation de puissance totale de l'appareil à 25 °C | PD | Tous | 330 | mW |
Déclasser au dessus de 25°C | 4.4 | mW/°C | ||
ÉMETTEUR Courant direct continu |
jeF |
Tous |
60 |
mA |
Tension inverse | VR | Tous | 3 | V |
Dissipation de puissance totale 25°C ambiant | PD | Tous | 100 | mW |
Déclasser au dessus de 25°C | 1.33 | mW/°C | ||
DÉTECTEUR Tension de borne de sortie à l'état désactivé |
VGDN |
Tous |
600 |
V |
Courant de pointe répétitif de crête (PW = 100 ms, 120 pps) | jeTSM | Tous | 1 | UN |
Dissipation de puissance totale à une température ambiante de 25 °C | PD | Tous | 300 | mW |
Déclasser au dessus de 25°C | 4 | mW/°C |
EMBALLER

Régulateurs de tension de MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Dispositifs antiparasites passagers de tension de SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb

Bâti extérieur de la diode 225mW SOT−23 de régulateurs de tension de BZX84C12LT1G Zener

Redresseurs ultra-rapides 100−600V de puissance du mode 16A de commutateur de MUR1620CTG

Transistors bipolaires TO-3P de NJW0281G 50W NPN PNP

Phototransistor à canal double de MOCD213M 2500Vrms SOIC8

Transistor de silicium de la puissance moyenne 0.5A 300V 20W NPN de MJE340G

Redresseurs ultra-rapides de puissance de bâti extérieur d'IC de gestion de puissance de MURS260T3G

Élimination de boucle au sol d'IC Chip Logic Gate Optocouplers For d'ordinateur de HCPL0600R2 10bps
