Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Composants d'IC ​​de circuit intégré de puces d'Electrnic IC de SRDA05-4BTG

Composants d'IC ​​de circuit intégré de puces d'Electrnic IC de SRDA05-4BTG

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
21V bâti extérieur 8-SOIC de diode de la bride 25A (8/20µs) PIP TV
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température ambiante:
-55°C à +125°C
terme de paiement:
T/T, Paypal, Western Union
Tension:
1.5V
Actuel:
0.6A
Paquet:
SOP-8
Paquet d'usine:
500/REEL
Point culminant:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Introduction

SPC6332S36RGB Electrnic IC ébrèche les composants d'IC ​​de circuit intégré

Matrice de diodes TVS à faible capacité

 

DESCRIPTION

 

Les RailClamps sont des réseaux de diodes résistant aux surtensions conçus pour protéger les interfaces de données à haut débit.La série SRDA a été spécialement conçue pour protéger les composants sensibles connectés aux lignes de données et de transmission contre les surtensions causées par les décharges électrostatiques (ESD), les transitoires électriques rapides (EFT) et la foudre.

 

La conception unique intègre des diodes de direction à faible capacité et une diode TVS dans un seul boîtier.Pendant les conditions transitoires, les diodes de direction dirigent le courant transitoire vers la terre via le TVS basse tension interne.

 

La diode TVS fixe la tension transitoire à un niveau sûr.La configuration du réseau à faible capacité permet à l'utilisateur de protéger jusqu'à quatre lignes de données à haut débit.Le SRDA05-4 peut être utilisé pour protéger des lignes fonctionnant jusqu'à 5 volts tandis que le SRDA12-4 peut être utilisé sur des lignes fonctionnant jusqu'à 12 volts.

 

Ces appareils sont dans un boîtier SOIC à 8 broches.Ils sont disponibles avec une finition plomb-étain mat conforme aux normes SnPb ou RoHS/WEEE.La capacité de surtension élevée (Ipp=25A, tp=8/20μs) signifie qu'il peut être utilisé dans des environnements à haut risque dans des applications telles que les équipements CO/CPE, les lignes de télécommunication et les lignes vidéo.

 

À partdeListe des stocks

 

CI MM74HC164MX FSC P0552AD/P9FAD POS-14
DIODE BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODE SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
DIODE BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODE SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
RES 2010 330R 5 % CRCW2010330RJNEF VISHAY 1612 CMS2010
RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF VISHAY 1612 CMS2010
CI MCP6S26-I/SL PUCE ÉLECTRONIQUE 16255C4 POS-14
ACOPLAEUR.PC817A POINTU 2016.08.10/H33 DIP-4
TRANS 2SS52M Honeywell 2SSM/523-LF TO-92
CI SCC2691AC1D24 1149+ POS-24
CI TP3057WM TI XM33AF POS-16
CI CD14538BE TI 33ADS8K DIP-16
IC CL2N8-G PUCE ÉLECTRONIQUE CL2C SOT-89
CI SN75179BP TI 57C50DM DIP-8
CI L6219DS ST 135 POS-24
CAP 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE SAMSUNG AC7JO2H CMS1210
INDUTEUR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF TDK YA16H0945122/3R3 CMS6045
CAPUCHON ELCO CMS 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR POÊLE Y1628F843536/2.2/50V/SYK CMS4*5.4
CI 24LC256-I/SN PUCE ÉLECTRONIQUE 1636M6G POS-8
CAPUCHON ELCO CMS 150UF 25V UCD1E151MNL1GS NICHICON 160602/150/25V/H72 CMS8*10.5
RÉS RC0805JR-0727RL YAGEO 1538 CMS0805
CI SN75240PW TI 11/A75240 MSOP-8
RÉS RC0805JR-0715KL YAGEO 1637 CMS0805
CAPUCHON CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T TAIYOYUDEN 1608 CMS0805
CAPUCHON CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE SAMSUNG AC7JO2H CMS0805
RÉS 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% YAGEO 1638 CMS0805
RES 3K3 5% CAS 0805RC0805JR-073K3L YAGEO 1623 CMS0805
TRIAC BTA26-600BRG ST 628 TO-3P
CHAPEAU 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB TDK IB16F15763SD CMS0805

 

 

Caractéristiques

Protection contre les transitoires pour lignes de données haut débit selon CEI 61000-4-2 (ESD) ±15kV (air), ±8kV (contact)

CEI 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) CEI 61000-4-5 (foudre) 24A (8/20μs) ‹

Réseau de diodes résistant aux surtensions avec diode TVS interne

Protège quatre lignes d'E/S

‹ Faible capacité (<15pF) pour les interfaces à grande vitesse ‹

Basses tensions de fonctionnement et de blocage ‹ Technologie à semi-conducteurs

 

Charactéristiques mécaniques

‹ Paquet JEDEC SOIC-8

‹ Finition plomb : SnPb ou Sn mat ‹

Indice d'inflammabilité du composé de moulage : UL 94V-0

‹ Marquage : Référence, code date, logo ‹

Conditionnement : Bande et bobine selon EIA 481

 

APPLICATIONS

 

‹ Protection de l'alimentation USB et de la ligne de données ‹

Protection latérale IC secondaire T1/E1 ‹

Protection latérale IC secondaire T3/E3

‹ Protection latérale IC secondaire HDSL, SDSL ‹

Protection de ligne vidéo

‹ Protection d'entrée du microcontrôleur ‹

Stations de base ‹ Protection de bus I 2C

 

Disposition des broches

 

 

PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
500pcs