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Puce de circuit intégré de SN74HC20DR, doubles composants électroniques d'IC ​​de porte de NAND de 4 entrées

fabricant:
Les instruments du Texas
Description:
La Manche 14-SOIC de NAND Gate IC 2
Catégorie:
Puces de circuits intégrés
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Na de retard de propagation, NOTA:, OR, ND au nY:
8 NS
Capacité d'entrée:
3,5 PF
capacité de dissipation de puissance par paquet:
22 PF
Capacité de sortie:
Norme
Point culminant:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Introduction

 

Puce de circuit intégré 74HC20D, doubles composants électroniques d'IC ​​de porte de NAND de 4 entrées

 

Double porte NAND à 4 entrées 74HC/HCT20

 

CARACTÉRISTIQUES

• Capacité de sortie : standard

• JECCcatégorie : SSI

 

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Les 74HC/HCT20 sont des dispositifs CMOS Si-gate haute vitesse et sont compatibles avec les broches Schottky TTL (LSTTL) basse consommation.Ils sont spécifiés conformément à la norme JEDEC n°.7A.Le 74HC/HCT20 fournit la fonction NAND à 4 entrées.

 

DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE

GND = 0 V ;Jamb= 25 °C ;tr= tF= 6ns

SYMBOLE PARAMÈTRE CONDITIONS TYPIQUE UNITÉ
SC HCT
tPHL/ tPLH délai de propagation nA, nB, nC, nD à nY CL= 15 pF ;VCC= 5V 8 13 ns
Cje capacité d'entrée   3.5 3.5 pF
CDP capacité de dissipation de puissance par paquet notes 1 et 2 22 17 pF

Remarques

1. CDPest utilisé pour déterminer la dissipation de puissance dynamique (PDen µW) :

PD=CDP×VCC2×fje+ ∑ (CL×VCC2×fo) où:

Fje= fréquence d'entrée en MHz

Fo= fréquence de sortie en MHz

CL= capacité de charge de sortie en pF

VCC= tension d'alimentation en V

∑ (CL×VCC2×fo) = somme des sorties

2. Pour HC, la condition est Vje= GND à VCC

Pour HCT, la condition est Vje= GND à VCC− 1,5 V

 

 

 

 

 

 

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