MT46V8M16TG-6T IT: puce de Circuit intégré d'origine D TR DOUBLE débit de données DDR SDRAM
integrated circuit ic
,integrated circuit components
SDRAM DOUBLE DÉBIT DE DONNÉES (DDR)
CARACTÉRISTIQUES
• Horloge 167 MHz, débit de données 333 Mb/s/p
• VDD = +2,5 V ±0,2 V, VDDQ = +2,5 V ±0,2 V
• Stroboscope de données bidirectionnel (DQS) transmis/reçu avec des données, c'est-à-dire une capture de données synchrone à la source (x16 en a deux - un par octet)
• Architecture interne à double débit de données (DDR) en pipeline ;deux accès aux données par cycle d'horloge
• Entrées d'horloge différentielles (CK et CK#)
• Commandes saisies sur chaque front positif CK
• DQS aligné sur les bords avec les données pour les lectures ;aligné au centre avec les données pour les WRITE
• DLL pour aligner les transitions DQ et DQS avec CK
• Quatre banques internes pour un fonctionnement simultané
• Masque de données (DM) pour masquer les données d'écriture (x16 en a deux - un par octet)
• Longueurs de rafales programmables : 2, 4 ou 8
• Option de précharge automatique simultanée prise en charge
• Modes d'actualisation automatique et d'auto-actualisation
• Forfait FBGA disponible
• 2,5 VI/S (compatible SSTL_2)
• t Verrouillage RAS (t RAP = t RCD)
• Rétrocompatible avec DDR200 et DDR266
OPTIONS NUMÉRO DE PIÈCE
• Configuration
32 Mo x 4 (8 Mo x 4 x 4 banques) 32M4
16 Mo x 8 (4 Mo x 8 x 4 banques) 16M8
8 Mo x 16 (2 Mo x 16 x 4 banques) 8M16
• Emballage en plastique
TSOP 66 broches (OCPL) TG
FBGA 60 billes (16x9mm) FJ
• Synchronisation - Temps de cycle
6ns @ CL = 2,5 (DDR333B–FBGA)1-6
6ns @ CL = 2,5 (DDR333B–TSOP)1-6T
7.5ns @ CL = 2 (DDR266A)2-75Z
• Auto-actualisation
Standard aucun
REMARQUE : 1. Prend en charge les modules PC2700 avec une synchronisation 2.5-3-3
2. Prend en charge les modules PC2100 avec une synchronisation 2-3-3
COMPATIBILITÉ DDR333
La DDR333 satisfait ou dépasse toutes les exigences de synchronisation de la DDR266, assurant ainsi une rétrocompatibilité totale avec les conceptions DDR actuelles.De plus, ces appareils prennent en charge la précharge automatique simultanée et le verrouillage RAS pour des performances de synchronisation améliorées.Le dispositif DDR333 de 128 Mo prendra en charge un intervalle de rafraîchissement périodique moyen (t REFI) de 15,6 µs.
Le boîtier TSOP standard à 66 broches est proposé pour les applications point à point où le boîtier FBGA est destiné aux systèmes multipoints.
La fiche technique du Micron 128 Mo fournit toutes les spécifications et fonctionnalités, sauf indication contraire dans les présentes.
DIMENSION DU PAQUET FBGA 60 BALLES
MARQUAGE DES COLIS FBGA
En raison de la taille physique de l'emballage FBGA, le numéro de référence complet de la commande n'est pas imprimé sur l'emballage.Au lieu de cela, le code de package suivant est utilisé.
La marque supérieure contient cinq champs 12345
• Champ 1 (Famille de produits)
DRAM D
DRAM - ES Z
• Champ 2 (Type de produit)
2,5 volts, DDR SDRAM, 60 billes L
• Champ 3 (Largeur)
x4 appareils B
x8 appareils C
x16 appareils D
• Champ 4 (Densité / Taille)
128Mo F
• Classement 5 (niveau de vitesse)
-6J
-75Z P
-75 F
-8 C
DIMENSION DU BOÎTIER TSOP À 66 BROCHES AFFECTATION DES BROCHES DU BOÎTIER TSOP À 66 BROCHES
SERVICE INFORMATIQUE MT48LC4M16A2TG-75 : MICRON TSOP4 mégohm banques de X 4 x 4 d'IC synchrone de drachme de G TR
IC de mémoire flash M45PE10-VMN6P Nouveau et original
MT25QL512ABB1EW9-0SIT IC de mémoire flash nouvelle et originale
N25Q128A13EF740F stock nouveau et original
PF48F3000P0ZTQEA stock nouveau et original
N25Q128A13ESF40F TR stock nouveau et original
N25Q064A13ESE40F TR stock nouveau et original
N25Q128A11EF840F TR stock nouveau et original
N25Q128A13BSF40F TR stock nouveau et original
MX30LF2G18AC-TI Nouveau et original
| Image | partie # | Description | |
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SERVICE INFORMATIQUE MT48LC4M16A2TG-75 : MICRON TSOP4 mégohm banques de X 4 x 4 d'IC synchrone de drachme de G TR |
SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
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IC de mémoire flash M45PE10-VMN6P Nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 1Mbit SPI 75 MHz 8-SO
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MT25QL512ABB1EW9-0SIT IC de mémoire flash nouvelle et originale |
FLASH - NOR Memory IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WPDFN (8x6) (MLP8)
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N25Q128A13EF740F stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
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PF48F3000P0ZTQEA stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit Parallel 52 MHz 65 ns 88-SCSP (8x10)
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N25Q128A13ESF40F TR stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SO
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N25Q064A13ESE40F TR stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
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N25Q128A11EF840F TR stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
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N25Q128A13BSF40F TR stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SOP2
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MX30LF2G18AC-TI Nouveau et original |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 20 ns 48-TSOP
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