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Famille d'amplificateurs opérationnels à alimentation unique à large bande et à sortie élevée Tl7757cdr

fabricant:
Les instruments du Texas
Description:
Drain ouvert ou Manche ouverte 8-SOIC de surveillant du collecteur 1
Catégorie:
Gestion IC de puissance
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension d'alimentation:
17 V
Température ambiante fonctionnante de libre-air, MERCI : Suffixe de C:
0°C à 70°C
Température ambiante fonctionnante de libre-air, MERCI : Je suffixe:
°C −40 à 125°C
La température de jonction maximum, TJ:
150 °C
Température ambiante de température de stockage, Tstg:
−65°C à 150°C
Menez la température 1,6 millimètres (1/16 pouce) à partir du point de droit pendant 10 secondes:
260°C
Point culminant:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Introduction

 

GAMME D'AMPLIFICATEURS OPÉRATIONNELS À ALIMENTATION UNIQUE À HAUT RENDEMENT ET LARGE BANDE

 

*Large bande passante...10 MHz

* Entraînement à haut rendement

− jeOH...57 mA à VJJ− 1,5 VAmplificateur opérationnel

− jeLO...55 mA à 0,5 V

* Taux de balayage élevé

− SR+ ...16 V/µs

− SR− ...19 V/µs

* Large gamme d'approvisionnement...4,5 V à 16 V

* Courant d'alimentation...1,9 mA/canal

* Mode d'arrêt de puissance ultra-faible

jeJJ...125 µA/Canal

* Faible tension de bruit d'entrée...8,5 nV√Hz

*Tension de décalage d'entrée...60 µV

*Ultra-petits colis

− MSOP 8 ou 10 broches (TLC080/1/2/3)

 

description

Les premiers membres de la nouvelle famille d'amplificateurs opérationnels polyvalents BiMOS de TI sont les TLC08x.Le concept de la famille BiMOS est simple : fournir une voie de mise à niveau aux utilisateurs de BiFET qui passent de systèmes à double alimentation à des systèmes à alimentation unique et exigent des performances CA et CC supérieures.Avec des performances nominales de 4,5 V à 16 V dans le commerce (0°C à 70°C) et une plage de température industrielle étendue (−40°C à 125°C), BiMOS convient à une large gamme d'applications audio, automobiles, industrielles et applications instrumentales.Fonctionnalités familières telles que les broches d'annulation de décalage et nouvelles fonctionnalités telles que MSOP PowerPADMTpackages et les modes d'arrêt, permettent des niveaux de performances plus élevés dans une variété d'applications.

 

Développés dans le processus breveté LBC3 BiCMOS de TI, les nouveaux amplificateurs BiMOS combinent une entrée CMOS à très haute impédance et à faible bruit avec un étage de sortie bipolaire à haut rendement, offrant ainsi les caractéristiques de performance optimales des deux.Les améliorations des performances CA par rapport aux prédécesseurs TL08x BiFET incluent une bande passante de 10 MHz (une augmentation de 300 %) et un bruit de tension de 8,5 nV/√Hz (une amélioration de 60 %).Les améliorations DC incluent un V garantiRICqui inclut la terre, une réduction d'un facteur 4 de la tension de décalage d'entrée jusqu'à 1,5 mV (maximum) dans la qualité standard et une amélioration de la réjection de l'alimentation de plus de 40 dB à 130 dB.À cette liste de fonctionnalités impressionnantes s'ajoute la capacité de piloter confortablement des charges de ± 50 mA à partir d'un boîtier MSOP PowerPAD à encombrement réduit, qui positionne le TLC08x comme la famille d'amplificateurs opérationnels polyvalents hautes performances idéale.

 

valeurs nominales maximales absolues sur la plage de températures de fonctionnement à l'air libre (sauf indication contraire)†

Tension d'alimentation, VJJ(voir Remarque 1) ..................................................17V

Plage de tension d'entrée différentielle, VIDENTIFIANT................................................± VJJ

Dissipation de puissance totale continue ..............................Voir le tableau des taux de dissipation

Plage de température de fonctionnement à l'air libre, TUN: suffixe C ................................0°C à 70°C

je suffixe .............................−40°C à 125°C

Température de jonction maximale, TJ................................................150 °C

Plage de température de stockage, Tstg ..........................................−65°C à 150°C

Température du plomb à 1,6 mm (1/16 pouce) du boîtier pendant 10 secondes .........................260 °C

 

† Les contraintes au-delà de celles répertoriées sous « valeurs maximales absolues » peuvent causer des dommages permanents à l'appareil.Il s'agit uniquement de cotes de contrainte et le fonctionnement fonctionnel de l'appareil dans ces conditions ou dans d'autres conditions au-delà de celles indiquées dans les « conditions de fonctionnement recommandées » n'est pas implicite.L'exposition à des conditions nominales maximales absolues pendant de longues périodes peut affecter la fiabilité de l'appareil.

REMARQUE 1 : Toutes les valeurs de tension, à l'exception des tensions différentielles, sont par rapport à GND.

 

TABLEAU DE COTE DE DISSIPATION

 FORFAIT θJC(°C/W) θJA(°C/W) TUN≤ 25°C PUISSANCE NOMINALE
D (8) 38,3 176 710 mW
D (14) 26,9 122,3 1022 mW
D (16) 25,7 114,7 1090 mW
DGN (8) 4,7 52,7 2,37 W
DQG (10) 4,7 52,3 2,39 W
N (14, 16) 32 78 1600 mW
P (8) 41 104 1200mW
PTP (20) 1,40 26,1 4,79 W

 

Conditions de fonctionnement recommandées

    MIN MAX UNITÉ
Tension d'alimentation, VJJ Alimentation unique 4.5 16 V
Approvisionnement fractionné ±2,25 ±8
Tension d'entrée en mode commun, VRIC Terre VJJ−2 V
Niveau de tension d'arrêt marche/arrêt‡ VIH 2 V
VIL 0,8
Température de fonctionnement à l'air libre, TUN suffixe C 0 70 °C
suffixe I -40 125

‡ Par rapport à la tension sur la borne GND de l'appareil.

 

 

INFORMATIONS SUR LA DEMANDE

 

 

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