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Émetteur-récepteur de bus octal Puce de circuit intégré 3 états 74HC245PW, 118

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
L'émetteur-récepteur, Non-inversant 1 élément 8 mordu par élément 3-State a produit 20-TSSOP
Catégorie:
Conducteur ICs d'affichage
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Caractéristique 1:
Interface de bus bidirectionnelle octale
Caractéristique 2:
Non-inverser 3 sorties d'état
caractéristique 3:
Options multiples de paquet
Caractéristique 4:
Se conforme à no. standard 7A de JEDEC
Protection 1 d'ESD:
HBM EIA/JESD22-A114-B dépasse 2000 V
Protection 2 d'ESD:
Le millimètre EIA/JESD22-A115-A dépasse 200 V
Point culminant:

integrated circuit ic

,

integrated circuit components

Introduction

1. Descriptif général

 

Le 74HC245 ;Le 74HCT245 est un dispositif CMOS Si-Gate à grande vitesse et est compatible avec les broches de Low-Power Schottky TTL (LSTTL).

 

Le 74HC245 ;Le 74HCT245 est un émetteur-récepteur octal doté de sorties compatibles avec un bus à 3 états non inverseurs dans les sens d'envoi et de réception.Le 74HC245 ;Le 74HCT245 dispose d'une entrée d'activation de sortie (OE) pour une mise en cascade facile et d'une entrée d'envoi/réception (DIR) pour le contrôle de la direction.OE contrôle les sorties afin que les bus soient efficacement isolés.

 

Le 74HC245 ;74HCT245 est similaire au 74HC640 ;74HCT640 mais a de vraies sorties (non inverseuses).

 

 

2. Caractéristiques

 

■ Interface bus bidirectionnelle octale

■ Sorties 3 états non inverseuses

■ Plusieurs options de forfait

■ Conforme à la norme JEDEC n°.7A

■ Protection ESD :

◆ HBM EIA/JESD22-A114-B dépasse 2000 V

◆ MM EIA/JESD22-A115-A dépasse 200 V

■ Spécifié de −40 °C à +85 °C et de −40 °C à +125 °C

 

 

3. Données de référence rapide

GND = 0 V ;Jamb= 25 °C ;tr= tF= 6ns

Symbole Paramètre Conditions Min Tapez Max Unité
Tapez 74HC245
tPHL, tPLH

délai de propagation

An à Bn ou Bn à An

CL= 15 pF ;

VCC=5V

- 7 - ns
Cje capacité d'entrée   - 3.5 - pF
CE/S capacité d'entrée/sortie   - dix - pF
CDP

capacité de dissipation de puissance par

émetteur-récepteur

Vje= GND à VCC [1] - 30 - pF
Tapez 74HC245
tPHL, tPLH

délai de propagation

An à Bn ou Bn à An

CL= 15 pF ;

VCC=5V

- dix - ns
Cje capacité d'entrée   - 3.5 - pF
CE/S capacité d'entrée/sortie   - dix - pF
CDP

capacité de dissipation de puissance par

émetteur-récepteur

Vje= GND à

VCC− 1,5 V

[1] - 30 - pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[1] CDPest utilisé pour déterminer la dissipation de puissance dynamique (PDen µW) :

PD=CDP×VCC2 ×fje× N + ∑ (CL × VCC2× fo) où :

Fje= fréquence d'entrée en MHz ;

Fo= fréquence de sortie en MHz ;

CL= capacité de charge de sortie en pF ;

VCC= tension d'alimentation en V ;

N = nombre d'entrées commutées ;

∑ (CL×VCC2×fo) = somme des sorties.

 

 

4. Schéma fonctionnel

 

 

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Courant:
MOQ:
20pcs