MT29F64G08CBABAWP : Mémoire de masse en plastique de la puce de mémoire de B Nand Flash IC 8GX8 PBF TSOP 3.3V
serial flash chip
,circuit board chips
MT29F64G08CBABAWP:B puce mémoire IC NAND FLASH 8GX8 PBF PLASTIC TSOP stockage de masse à 3,3 V
Caractéristiques
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 conforme1
• Technologie des cellules à un seul niveau (SLC)
• Organisation ️ Taille de page x8: 2112 octets (2048 + 64 octets) ️ Taille de page x16: 1056 mots (1024 + 32 mots) ️ Taille du bloc: 64 pages (128K + 4K octets) ️ Taille du plan:2 plans x 2048 blocs par plan: 4Gb: 4096 blocs; 8Gb: 8192 blocs 16Gb: 16384 blocs
• Performance d'entrée/sortie asynchrone: tRC/tWC: 20 ns (3,3 V), 25 ns (1,8 V)
• Performance de la matrice Lire la page: 25μs 3 Page du programme: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V) 3 Bloc d'effacement: 700μs (TYP)
• Ensemble de commandes: protocole ONFI NAND Flash
• Ensemble de commandes avancées ️ Mode de mise en cache de la page du programme4 ️ Mode de mise en cache de la page de lecture4 ️ Mode programmable à usage unique (OTP) ️ Commandes à deux plans 4 ️ Opérations à matrices interlignées (LUN) ️ Lire un identifiant unique ️ Bloc de verrouillage (1.8V uniquement)
• Le byte d'état de l'opération fournit une méthode logicielle pour détecter l'achèvement de l'opération condition de réussite/échec
• Le signal Ready/Busy# (R/B#) fournit une méthode matérielle de détection de la fin de l'opération
• Signal WP#: Écrire pour protéger tout l'appareil
| Attributs du produit | Sélectionnez Tout |
| Catégories | Circuits intégrés (CI) |
| La mémoire | |
| Produit de fabrication | Micron Technology Inc. est une société de technologie. |
| Série | - |
| Statut de la partie | Actif |
| Type de mémoire | Non volatils |
| Format de mémoire | Flash |
| Technologie | Flash - NAND |
| Taille de mémoire | 64 Go (8 Go x 8 Go) |
| Écrire le temps du cycle - mot, page | - |
| Interface de mémoire | Parallèlement |
| Voltage - alimentation | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
SERVICE INFORMATIQUE MT48LC4M16A2TG-75 : MICRON TSOP4 mégohm banques de X 4 x 4 d'IC synchrone de drachme de G TR
IC de mémoire flash M45PE10-VMN6P Nouveau et original
MT25QL512ABB1EW9-0SIT IC de mémoire flash nouvelle et originale
N25Q128A13EF740F stock nouveau et original
PF48F3000P0ZTQEA stock nouveau et original
N25Q128A13ESF40F TR stock nouveau et original
N25Q064A13ESE40F TR stock nouveau et original
N25Q128A11EF840F TR stock nouveau et original
N25Q128A13BSF40F TR stock nouveau et original
MX30LF2G18AC-TI Nouveau et original
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
|
|
SERVICE INFORMATIQUE MT48LC4M16A2TG-75 : MICRON TSOP4 mégohm banques de X 4 x 4 d'IC synchrone de drachme de G TR |
SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
|
|
|
|
IC de mémoire flash M45PE10-VMN6P Nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 1Mbit SPI 75 MHz 8-SO
|
|
|
|
MT25QL512ABB1EW9-0SIT IC de mémoire flash nouvelle et originale |
FLASH - NOR Memory IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WPDFN (8x6) (MLP8)
|
|
|
|
N25Q128A13EF740F stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
|
|
|
|
PF48F3000P0ZTQEA stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit Parallel 52 MHz 65 ns 88-SCSP (8x10)
|
|
|
|
N25Q128A13ESF40F TR stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SO
|
|
|
|
N25Q064A13ESE40F TR stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
|
|
|
|
N25Q128A11EF840F TR stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
|
|
|
|
N25Q128A13BSF40F TR stock nouveau et original |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SOP2
|
|
|
|
MX30LF2G18AC-TI Nouveau et original |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 20 ns 48-TSOP
|