Transistor sans plomb de transistor MOSFET de la Manche de N, transistor à grande vitesse IRF640NPBF de transistor MOSFET de 200V 18A
n channel mosfet transisto
,high speed mosfet transistor
La Manche 200V 18A du transport N d'IMMERSION d'IRF640NPBF commutant le transistor de puissance de transistor MOSFET
Description
Le transistor MOSFET s de puissance de ® de la cinquième génération HEXFET du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.
Le D2PAKestunpaquetextérieurdepuissancedebâticapabledulogementà mourirdestaillesjusqu'àHEX-4. Ilfournitlacapacitéde lapuissancela plus élevéeetleplus baspossiblesurlarésistanceenn'importe quelpaquetextérieurexistantdebâti. LeD2PAKconvientauxapplicationsà forte intensitéen raisondesabasserésistanceinternedeconnexionetpeutabsorberjusqu'à2.0Wdansuneapplicationextérieuretypiquedebâti.
La version d'à travers-trou (IRF640NL) est disponible pour la basse application de profil.
Caractéristique
l a avancé la technologie transformatrice
l estimation dynamique de dv/dt
l 175°C actionnant l'emperature de T
l commutation rapide
l entièrement avalanche évaluée
l facilité de parallélisation
l conditions simples d'entraînement
l sans plomb
Paquet
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485