Tension 100V actuelle de DarliCM GROUPon Bipolar Mosfet Power Transistor TIP147 10A
n channel mosfet transisto
,high speed mosfet transistor
? Transistors TO-3P TIP147 10A 100V PNP DarliCM GROUPon Bipolar Power Transistor de transistor MOSFET
TIP140, TIP141, TIP142, (NPN) ; TIP145, TIP146, TIP147, (PNP)
Description
Les dispositifs sont fabriqués en technologie planaire avec la disposition « d'île basse » et la configuration monolithique de DarliCM GROUPon. Les transistors en résultant montrent la représentation à gain élevé exceptionnelle ajoutés à la tension de saturation très basse.
Caractéristiques
Conçu pour l'amplificateur polyvalent et les applications de changement à vitesse réduite.
• Tension soutenante de collecteur-émetteur
VCEO (sus) = 60V (minimum) - TIP140, TIP145
= 80V (minimum) - TIP141, TIP146
= 100V (minimum) - TIP142, TIP147
• Tension de saturation de collecteur-émetteur
VCE (s'est reposé) = 2.0V (maximum) à IC = à 5.0A
• Construction monolithique avec la résistance de shunt intégrée d'émetteur de base.
TIP142
TIP147
TIP142T
TIP147T
TIP42CTU SUR/FSC
TIP41CTU SUR/FSC
TIP42C St
TIP41C St
DarliCM GROUPon Bipolar Power Transistor est conçue pour l'amplificateur d'usage universel et les applications de changement basses fréquences.
Le TIP140, TIP141, TIP142, (NPN) ; TIP145, TIP146, TIP147, (PNP) sont les dispositifs complémentaires.
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