Transistor de transistor MOSFET de la Manche d'IRF9540NPBF P, transistor de commutation rapide de 100V 23A
n channel mosfet transisto
,high speed mosfet transistor
Puissance élevée de transistor MOSFET de transistor de commutation de la Manche IRF9540NPBF TO-220 100V 23A de P
Description
La cinquième génération HEXFET s de redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET® sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le D-PAK est conçu pour le support extérieur utilisant la phase vapeur, l'infrarouge, ou les techniques de soudure de vague. La version droite d'avance (série d'IRFU) est pour l'à travers-trou montant des applications. Les niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 watts sont possibles dans des applications extérieures typiques de bâti.
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