Tension actuelle 55V du transistor de puissance du transistor MOSFET 31A IRFR5305TRPBF pour le général de circuit de puissance
high speed mosfet transistor
,p channel mosfet transistor
Transistor MOSFET de puissance du transistor TO252 55V 31A d'IRFR5305TRPBF pour le général de circuit de puissance
IRFR5305PbF
IRFU5305PbF
Description
La cinquième génération HEXFET s de redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET® sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le D-PAK est conçu pour le support extérieur utilisant la phase vapeur, l'infrarouge, ou les techniques de soudure de vague. La version droite d'avance (série d'IRFU) est pour l'à travers-trou montant des applications. Les niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 watts sont possibles dans des applications extérieures typiques de bâti.
Capacités absolues
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Paramètre |
Maximum. |
Unités |
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Identification @ comité technique =°C 25 |
Courant continu de drain, VGS @ -10V |
-31 |
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Identification @ comité technique =°C 100 |
Courant continu de drain, VGS @ -10V |
-22 |
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IDM |
Courant pulsé de drain |
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