Envoyer le message
Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Paquet actuel du transistor IRF7404TRPBF 7.7A SOP8 de transistor MOSFET de la Manche SMD de la tension 20V P

Paquet actuel du transistor IRF7404TRPBF 7.7A SOP8 de transistor MOSFET de la Manche SMD de la tension 20V P

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti 2.5W (merci) extérieur du P-canal 20 V 6.7A (ventres) 8-SO
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Paquet:
SOP8
Série:
Transistor de la Manche de SOP8 P
Tension:
20V
Application:
pour des techniques de soudure de phase vapeur, infrarouges, ou de vague
Actuel:
7.7A
Caractéristique:
0.8w, approprié à l'application de bâti de carte PCB
Point culminant:

n channel mosfet transisto

,

p channel mosfet transistor

Introduction

Transistor original de transistor MOSFET de 7H7 DU MATIN de la Manche 20V d'IRF7404TRPBF SOP8 P

Description

La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser la plus basse possible sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le SO-8 a été modifié par un leadframe adapté aux besoins du client pour des caractéristiques augmentées et la capacité thermiques de multiple-matrice le rendant idéal dans un grand choix d'applications de puissance. Avec ces améliorations, des dispositifs multiples peuvent être utilisés dans une application avec l'espace nettement réduit de conseil. Le paquet est conçu pour des techniques de soudure de phase vapeur, infrarouges, ou de vague. La dissipation de puissance de plus grand que 0.8W est possible dans une application typique de bâti de carte PCB.


Caractéristique

l echnology de la génération V T

l Sur-résistance très réduite

l transistor MOSFET de P-canal
l bâti extérieur
l disponible dans la bande et la bobine

l estimation dynamique de dv/dt
l commutation rapide

Paquet

PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485

MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 stock nouveau et original

SKY65336-11 stock nouveau et original

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs