Le transistor de puissance à gain élevé de transistor MOSFET de représentation NPN DarliCM GROUPon TIP122 ROHS a approuvé
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W par le trou TO-220
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Série:
Transistor NPN DarliCM GROUPon
Application:
Linéaire d'usage universel et changement
Paquet:
TO220
Tension:
100V
Qualité:
Représentation à gain élevé
Actuel:
5A
Point culminant:
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
Introduction
? Transistor de puissance des transistors TIP122 DarliCM GROUPon NPN 100V 5A 2000mW TO220 de transistor MOSFET
TIP120, TIP121, TIP122 TIP125, TIP126, TIP127
Description
Les dispositifs sont fabriqués en technologie planaire avec la disposition « d'île basse » et la configuration monolithique de DarliCM GROUPon. Les transistors en résultant montrent la représentation à gain élevé exceptionnelle ajoutés à la tension de saturation très basse.
Caractéristiques
Conçu pour des applications linéaires et commutantes d'usage universel.
-
Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
-
NPN complémentaire - transistors de PNP
-
Applications
- Linéaire d'usage universel et changement
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Courant:
MOQ:
10pcs