Applications de changement d'amplificateur de DarliCM GROUPon Bipolar Mosfet Power Transistor TIP142
n channel mosfet transisto
,high speed mosfet transistor
DarliCM GROUPon Bipolar Mosfet Power Transistor TIP142 pour l'amplificateur et les applications de changement
TIP140, TIP141, TIP142, (NPN) ; TIP145, TIP146, TIP147, (PNP)
Description
Les dispositifs sont fabriqués en technologie planaire avec la disposition « d'île basse » et la configuration monolithique de DarliCM GROUPon. Les transistors en résultant montrent la représentation à gain élevé exceptionnelle ajoutés à la tension de saturation très basse.
Caractéristiques
Conçu pour l'amplificateur polyvalent et les applications de changement à vitesse réduite.
• Tension soutenante de collecteur-émetteur
VCEO (sus) = 60V (minimum) - TIP140, TIP145
= 80V (minimum) - TIP141, TIP146
= 100V (minimum) - TIP142, TIP147
• Tension de saturation de collecteur-émetteur
VCE (s'est reposé) = 2.0V (maximum) à IC = à 5.0A
• Construction monolithique avec la résistance de shunt intégrée d'émetteur de base.
TIP142
TIP147
TIP142T
TIP147T
TIP42CTU SUR/FSC
TIP41CTU SUR/FSC
TIP42C St
TIP41C St
DarliCM GROUPon Bipolar Power Transistor est conçue pour l'amplificateur d'usage universel et les applications de changement basses fréquences.
Le TIP140, TIP141, TIP142, (NPN) ; TIP145, TIP146, TIP147, (PNP) sont les dispositifs complémentaires.

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485
