Envoyer le message
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Maison
produits
fabricants
Au sujet de nous
ressources
Envoyez le RFQ
téléchargement
Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor de puissance de transistor MOSFET d'IMMERSION de la Manche de P 100V 40A 200W TO-220 IRF5210PBF sans plomb

Transistor de puissance de transistor MOSFET d'IMMERSION de la Manche de P 100V 40A 200W TO-220 IRF5210PBF sans plomb

Transistor de puissance de transistor MOSFET d'IMMERSION de la Manche de P 100V 40A 200W TO-220 IRF5210PBF sans plomb
Transistor de puissance de transistor MOSFET d'IMMERSION de la Manche de P 100V 40A 200W TO-220 IRF5210PBF sans plomb
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
P-canal 100 V 40A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Série:
IRF5210PBF
Application:
vitesse de changement rapide et dispositif robuste
Paquet:
TO-220
Nom:
Transistor de puissance de transistor MOSFET
Nom de produit:
Transistor 2MBI300N-060 de transistor MOSFET de puissance
Condition:
Original de 100%
Point culminant:

n channel mosfet transisto

,

p channel mosfet transistor

Introduction

IRF5210PBF Transistor de puissance Mosfet DIP 100V 40A 200W TO-220

 

Description

Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des dispositifs pour lesquels les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.

 

Le boîtier TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50 watts.La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier du TO-220 contribuent à sa large acceptation dans l'ensemble de l'industrie.

 

Caractéristiques

l Technologie de processus avancée

l Ultra faible résistance à l'allumage
l Note dynamique dv/dt
l 175°C Température de fonctionnement

l Commutation rapide

l Canal P
l Entièrement évalué pour les avalanches

l Sans plomb

 

 

 

Transistor de puissance Mosfet En stock:

 


IR1010NSPBF
IR2110PBF

IR2101STRPBF

IRLML2060TRPBF
IRLML9303TRPBF


IRLR8726TRPBF

IRLR2905ZPBF
IRLR8726TRLPBF

IRLR3636TRPBF


IRF7205TRPBF
IRFB4110PBF
IRF540ZSTRLPBF
IRF7342TRPBF
IRFZ48NPBF


IRF5210PBF
IRFD9120PBF

IRFR9310PBF
IRFR3607TRPBF
IRFZ48NPBF
IRFZ44N

IRF4905

IRF1010NSTRLPBF
IRF1404PBF

IRF7306TRPBF

IRF3710SPBF
IRF7455PBF

IRF730PBF

IRF7220TRPBF
IRF7406TRPBF
IRF7204TRPBF

IRF7301TRPBF
IRF7303TRPBF
IRF740PBF
IRF7424PBF/TRPBF
IRFR7546TRPBF

IRFR9024PBF

 

IRG4PC40KPBF
IRGP4068DPBF

IRG4PC50UDPBF

 

IRLZ44NPBF
IRLR024NTRPBF
IRLML6244TRPBF
IRL3803PBF

 

 

PRODUITS CONNEXES
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485

MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 stock nouveau et original

SKY65336-11 stock nouveau et original

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Image partie # Description
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485

MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 stock nouveau et original

SKY65336-11 stock nouveau et original
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs
Contactez-nous
Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Téléphone: 86-755-88367702
produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuits intégrés

Unité de microcontrôleur MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation IGBT

L'amplificateur IC ébrèche
Au sujet de nous
Au sujet de nous Certificat d'OIN Contrôle de qualité Politique en matière de protection de la vie privée Centre d'aide
Politique en matière de protection de la vie privée | Bonne qualité de la Chine Puce d'IC de mémoire instantanée Fournisseur. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Tous droits réservés.