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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Type épitaxial audio du silicium NPN de transistor d'IC d'amplificateur de puissance 2SC5171 200 mégahertz

Type épitaxial audio du silicium NPN de transistor d'IC d'amplificateur de puissance 2SC5171 200 mégahertz

Type épitaxial audio du silicium NPN de transistor d'IC d'amplificateur de puissance 2SC5171 200 mégahertz
Type épitaxial audio du silicium NPN de transistor d'IC d'amplificateur de puissance 2SC5171 200 mégahertz
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire NPN 180 V 2 un 200MHz 2 W par le trou TO-220NIS
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Type:
Les amplificateurs ébrèchent IC
Application:
Applications d'amplificateur de puissance
Paquet:
3 bornes PLONGENT
Caractéristique:
Haute fréquence de transition
Grande largeur de bande:
200 mégahertz
Série:
Complémentaire à 2SA1930
Point culminant:

2SC5171

,

TOSHIBA original chip

,

Audio Power Amplifier IC

Introduction

Type épitaxial applications du silicium NPN de transistor de 2SC5171 TOSHIBA d'amplificateur de puissance

CARACTÉRISTIQUES


• Haute fréquence de transition : pi = 200 mégahertz (type.)

• Complémentaire à 2SA1930

Caractéristiques électriques (comité technique = 25°C)

Caractéristiques

Symbole

Condition d'essai

Minute

Type.

Maximum

Unité

Courant de coupure de collecteur

ICBO

VCB = 180 V, IE = 0

-

-

5,0

μA

Courant de coupure d'émetteur

IEBO

VEB = 5 V, IC = 0

-

-

5,0

μA

Tension claque de collecteur-émetteur

PRÉSIDENT DE V (BR)

IC = 10 mA, IB = 0

180

-

-

V

Gain actuel de C.C

hFE (1)

VCE = 5 V, IC = 0,1 A

100

-

320

hFE (2)

VCE = 5 V, IC = 1 A

50

-

-

Tension de saturation de collecteur-émetteur

VCE (s'est reposé)

IC = 1 A, IB = 0,1 A

-

0,16

1,0

V

Tension d'émetteur de base

VBE

VCE = 5 V, IC = 1 A

-

0,68

1,5

V

Fréquence de transition

pi

VCE = 5 V, IC = 0,3 A

-

200

-

Mégahertz

Capacité de sortie de collecteur

Épi

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 mégahertz

-

16

-

PF

Capacités absolues (comité technique = 25°C)

Caractéristiques

Symbole

Estimation

Unité

Tension de collecteur-base

VCBO

180

V

Tension de collecteur-émetteur

VCEO

180

V

tension d'Émetteur-base

VEBO

5

V

Courant de collecteur

IC

2

Courant bas

IB

1

Dissipation de puissance de collecteur

Ventres = 25°C

PC

2,0

W

Comité technique = 25°C

20

La température de jonction

Tj

150

°C

Température ambiante de température de stockage

Tstg

−55150

°C

Applications


• Applications d'amplificateur de puissance

• Conducteur Stage Amplifier Applications

2SC5171 .pdf

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