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Gestion IC ULN2003ADR de puissance de la rangée 7 NPN DarliCM GROUPon 16-SOIC de transistor

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
1:1 DarliCM GROUPon 500mA 16-SOIC de commutateur électrique/conducteur
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Série:
Gestion IC de puissance
Application:
GESTION DE PUISSANCE
Technologie:
CMOS, PMOS, DTL, TTL,
Paquet:
SOP16
Caractéristique:
Rangées à haute tension et à forte intensité de DarliCM GROUPon
Options de tension:
50V
Point culminant:

ULN2003ADR

,

SOP16 Power Management IC

,

Transistor Array Power Management IC

Introduction

Bâti extérieur 16-SOIC de la rangée 7 NPN DarliCM GROUPon 50V 500mA de transistor d'ULN2003ADR

Description

Les ULN2001, les ULN2002, les ULN2003 et les ULN 2004 sont des rangées à haute tension et à forte intensité chacune de DarliCM GROUPon qui contient sept paires ouvertes de DarliCM GROUPon de collecteur avec les émetteurs communs. Chaque canal est évalué à 500 mA et peut résister à des courants de pointe de 600 mA. Des diodes de suppression sont incluses pour la charge inductive conduisant et les entrées sont goupillées vis-à-vis des sorties pour simplifier la disposition de conseil.

Les versions connectent à toutes les familles communes de logique : ULN2001 (usage universel, DTL, TTL, PMOS, CMOS) ; V PMOS D'ULN2002 (14 - 25) ; ULN2003 (5 V TTL, CMOS) ; V D'ULN2004 (6 - 15 CMOS, PMOS).

Ces dispositifs souples sont utiles pour conduire un large éventail de charges des lampes à filament comprenant des solénoïdes, des moteurs de C.C de relais, affichage à LED, des têtes d'impression thermiques et des tampons de haute puissance.

Les ULN2001A/2002A/2003A et les 2004A sont fournis dans un paquet d'IMMERSION de 16 bornes avec un leadframe de cuivre pour réduire la résistance thermique. Ils sont disponibles également en petit paquet d'ensemble (SO-16) comme ULN2001D1/2002D1/2003D1/2004D1.


Caractéristiques


 sept DarliCM GROUPons par paquet
le  le courant de sortie 500 mA par conducteur (la crête de 600 mA)
le  a produit la tension 50 V
le  a intégré des diodes de suppression pour les charges inductives
des sorties de  peuvent être mises en parallèle pour plus à forte intensité
entrées compatibles du  TTL/CMOS/PMOS/DTL
le  a entré des goupilles placées vis-à-vis des goupilles de sortie pour simplifier la disposition

Numéro de la pièce Paquet
ULN2001A DIP-16
ULN2002A DIP-16
ULN2003A DIP-16
ULN2004A DIP-16
ULN2001D1013TR SO-16 dans la bande et la bobine
ULN2002D1013TR SO-16 dans la bande et la bobine
ULN2003D1013TR SO-16 dans la bande et la bobine
ULN2004D1013TR SO-16 dans la bande et la bobine

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