Octet Chip Serial NI 4 de Mbit 2048 des pages X 256 SPI SOP8 de mémoire instantanée d'AT45DB041D-SU
serial flash memory
,serial flash chip
Mémoire instantanée d'AT45DB041D-SU, publication périodique NI, 4 Mbit, 2048 pages x 256Byte, publication périodique, SPI, SOP8
Description
L'AT45DB041D est un 2.5V ou un 2.7V, mémoire instantanée de périodique-interface idéalement adaptée à une grande variété de voix numérique, image, code de programme et applications de stockage de données. L'AT45DB041D soutient l'interface série de rapide pour des applications exigeant des opérations très à grande vitesse. L'interface série de rapide est SPI compatible pour des fréquences jusqu'à 66 mégahertz. Ses 4 325 376 bits de mémoire sont organisés en tant que 2 048 pages de 256 octets ou de 264 octets chacun. En plus du de mémoire centrale, l'AT45DB041D contient également deux tampons de SRAM de 256/264 d'octets chacun. Les tampons permettent la réception des données tandis qu'une page dans le de mémoire centrale est reprogrammée, aussi bien qu'écrire un train de données de données continues. L'émulation d'EEPROM (altérabilité de peu ou d'octet) est facilement manipulée avec un en trois étapes d'un seul bloc lecture-modifier-écrivent l'opération. À la différence des souvenirs instantanés conventionnels qui sont accédés directement avec des lignes à plusieurs adresses et une interface parallèle, le DataFlash emploie un interface série de rapide pour accéder séquentiellement à ses données. L'à accès direct simple réduit nettement le compte de goupille actif, facilite la disposition de matériel,
Fonctionnalités standard
• 2.5V ou 2.7V simple à l'approvisionnement 3.6V
• Interface série de RapidS® : 66 mégahertz de fréquence du signal d'horloge maximum
– Modes compatibles 0 et 3 de SPI
• Taille de la page configurable d'utilisateur
– 256 octets par la page
– 264 octets par la page
• Opération de programme de page
– Opération de programmation intelligente
– 2 048 pages (256/264 octet/page) de mémoire centrale
• Options flexibles d'effacement
– Effacement de page (256 octets)
– Effacement de bloc (2 K bytes)
– Effacement de secteur (64 K bytes)
– Chip Erase (4 Mbits)
• Deux tampons de données de SRAM (256/264 d'octets)
– Permet la réception des données tout en reprogrammant la rangée instantanée
• Capacité lue continue par la rangée entière
– Idéal pour le code ombrageant des applications
• Dissipation de basse puissance
– courant lu actif de 7 mA typique
– 25 typiques actuels de remplaçant de µA
– puissance-vers le bas profonde de 5 µA typique
• Caractéristiques de protection des données de matériel et de logiciel
– Secteur individuel
• Lockdown de secteur pour le code et le stockage de données sûrs
– Secteur individuel
• Sécurité : registre de sécurité de 128 octets
– l'espace programmable d'utilisateur de 64 octets
– Identificateur de dispositif unique de 64 octets
• L'identification standard de fabricant et de dispositif de JEDEC a lu
• 100 000 cycles de programme/effacement par minimum de page
• Conservation de données – 20 ans
• Température ambiante industrielle
• Options de empaquetage du vert (Pb/Halide-free/RoHS conforme)
Paquet :
8-Lead PDIP, 8-Lead SOIC, 5-Lead SOT23, 8-Lead TSSOP, 8-Pad UDFN et 8-Ball VFBGA
Applications
Ordinateurs et périphériques d'ordinateur, industriel, commerciales
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