Puce de mémoire instantanée de DRACHME SOP-54 64 Mbit 143 mégahertz ISSI IS42S16400J-7TLI pour des moniteurs d'affichage à cristaux liquides
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
La mémoire IC 64Mbit de SDRAM mettent en parallèle 143 mégahertz 5,4 NS 54-TSOP II
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Série:
IC
Tension:
3.3V
Caractéristique:
Puce de mémoire de DRACHME
Application:
Moniteurs d'affichage à cristaux liquides, écran plat TV, imprimantes, GPS, MP3
Paquet:
SOIC-54
Fréquence du signal d'horloge:
143 mégahertz
Point culminant:
IS42S16400J
,IS42S1
,IS42S16400J-7TLI
Introduction
Marque de la puce de mémoire de DRACHME d'IS42S16400J-7TLI SOP-54 64 Mbit 143 mégahertz ISSI
DESCRIPTIONS GÉNÉRALES
La DRACHME synchrone du 64Mb d'ISSI est organisée en tant que 1 048 576 banque de 16 bits des bits x x 4 pour la représentation améliorée. Les drachmes synchrones réalisent le transfert des données ultra-rapide utilisant l'architecture de canalisation. Tous les signaux d'entrées et sorties se rapportent au bord de montée de l'entrée d'horloge.
CARACTÉRISTIQUES
• Fréquence du signal d'horloge : 200, 166, 143, 133 mégahertz
• Entièrement synchrone ; tous les signaux ont mis en référence à un bord d'horloge positif
• Banque interne pour l'accès/pré-charge de dissimulation de rangée
• Alimentation de l'énergie 3.3V simple
• Interface de LVTTL
• Longueur éclatée programmable
– (1, 2, 4, 8, feuillet plein)
• Ordre éclaté programmable : Séquentiel/imbrication
• L'individu régénèrent des modes
• L'automobile régénèrent (CBR)
• 4096 régénèrent des cycles chaque catégorie (COM, Ind, A1) Mme de 64 ou 16ms (catégorie A2)
• Adresse de colonne aléatoire chaque rhythme
• Latence programmable de CAS (2, 3 horloges)
• La lecture/écriture éclatée et l'éclat lus/simples écrivent la capacité d'opérations
• Arrêt d'éclat par l'arrêt et la commande éclatés de pré-charge
Aperçu
Le 64Mb SDRAM est un CMOS à grande vitesse, mémoire vive dynamique conçue pour fonctionner dans des systèmes mémoire 3.3V contenant 67 108 864 bits. Intérieurement configuré comme DRACHME de quadruple-banque avec une interface synchrone. Chaque banque mordue par 16 777 216 est organisée en tant que 4 096 rangées par 256 colonnes par 16 bits. Le 64Mb SDRAM inclut une AUTOMOBILE RÉGÉNÈRE LE MODE, et une puissance-économie, mode de puissance-vers le bas. Tous les signaux sont enregistrés sur le bord positif du signal d'horloge, CLK. Toutes les entrées et sorties sont LVTTL compatibles. Le 64Mb SDRAM a la capacité d'éclater synchroniquement des données à un débit élevé avec la génération automatique de colonne-adresse, la capacité d'intercaler entre les banques internes pour cacher le temps de pré-charge et la capacité de changer aléatoirement des adresses de colonne sur chaque rhythme pendant l'accès éclaté. Une pré-charge auto-synchronisée de rangée lancée à la fin du sequenceisavailablewiththeAUTOPRECHARGEfunction éclaté a permis. Préchargez une banque tandis que l'accès d'une les trois des autres banques cachera les cycles de pré-charge et fournira l'opération sans couture, ultra-rapide, à accès aléatoire. SDRAM a lu et des accès en écriture sont commencer orienté par éclat à un emplacement choisi et continuation pour un nombre programmé d'emplacements dans un ordre programmé. L'enregistrement d'une commande ACTIVE commence des accès, suivis d'une LECTURE ou la touche d'écriture. La commande ACTIVE en même temps que le peu d'adresse enregistré sont employées pour choisir la banque et la rangée à accéder (BA0, BA1 choisissent la banque ; A0-A11 choisissent la rangée). La LECTURE ou des touches d'écriture en même temps que le peu d'adresse enregistré sont employées pour choisir l'emplacement commençant de colonne pour l'accès éclaté. La LECTURE programmable ou ÉCRIVENT des longueurs éclatées se composent de 1, 2, 4 et 8 emplacements, ou de feuillet plein, avec un éclat pour terminer l'option.
IS42S16400J-7TLI
IS42S16400F-7TLI
IS42S16100E-7TLI
IS42S16800F-7TLI
IS42S16160J-6BLI
IS42S16320B-7TL
IS42S32200L-7BLI
IS42S32400D-6BL
IS42S32800D-7TLI
PRODUITS CONNEXES
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 stock nouveau et original
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs