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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7461DP-T1-GE3

Transistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7461DP-T1-GE3

Transistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7461DP-T1-GE3
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Transistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7461DP-T1-GE3
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
1V
Identification - courant continu de drain:
A 14,4
Vds - tension claque de Drain-source:
60 V
Vgs - tension de Porte-source:
10 V
Qg - charge de porte:
121 OR
Palladium - dissipation de puissance:
5,4 W
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7461DP-T1-GE3

CARACTÉRISTIQUES

  • Transistors MOSFET de puissance de TrenchFET®
  • Catégorisation matérielle :

pour des définitions de conformité voir svp le www.vishay.com/doc?99912

RÉSUMÉ DE PRODUIT

VDS (v)

Le RDS (dessus) ()

Identification (a)

-60

0,0145 à VGS = -10 V

-14,4

0,0190 à VGS = -4,5 V

-12,6

CAPACITÉS ABSOLUES (MERCI = °C 25, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE

SYMBOLE

10 s

ÉQUILIBRÉ

UNITÉ

Tension de Drain-source

VDS

-60

V

Tension de Porte-source

VGS

± 20

Courant continu de drain (TJ = 150 °C) a

VENTRES =25°C

Identification

-14,4

-8,6

VENTRES =70°C

-11,5

-6,9

Courant pulsé de drain

IDM

-60

Courant de source continu (conduction de diode) a

EST

-4,5

-1,6

Courant d'avalanche

L = 0,1 MH

IAS

50

Énergie simple d'avalanche d'impulsion

EAS

125

MJ

Dissipation de puissance maximum a

VENTRES =25°C

Palladium

5,4

1,9

W

VENTRES =70°C

3,4

1,2

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

TJ, Tstg

-55 à +150

°C

Recommandations de soudure (la température maximale) b, c

260

ESTIMATIONS DE RÉSISTANCE THERMIQUE

PARAMÈTRE

SYMBOLE

TYPIQUE

MAXIMUM

UNITÉ

A Jonction-à-ambiant maximum

 10 s de t

RthJA

18

23

°C/W

Équilibré

52

65

Jonction-à-cas maximum (drain)

Équilibré

RthJC

1

1,3
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