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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7139DP-T1-GE3

Transistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7139DP-T1-GE3

Transistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7139DP-T1-GE3
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Transistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7139DP-T1-GE3
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Poids spécifique:
0,017870 onces
Partie # noms d'emprunt:
SI7139DP-GE3
Temps de retard d'ouverture typique:
17 NS
Temps de retard d'arrêt typique:
56 NS
Sous-catégorie:
Transistors MOSFET
Temps de montée:
12 ns
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7139DP-T1-GE3

CARACTÉRISTIQUES

  • Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET®

  • 100 % Rg et UIS a examiné

• Catégorisation matérielle :

APPLICATIONS

• Ordinateur portable

- Commutateur d'adaptateur
- Commutateur de batterie
- Commutateur de charge

RÉSUMÉ DE PRODUIT

VDS (v)

Le RDS (dessus) ()

Identification (a)

Qg (TYPE.)

-30

0,0055 à VGS = -10 V

-40 d

49,5 OR

0,0090 à VGS = -4,5 V

-40 d

CAPACITÉS ABSOLUES (MERCI = °C 25, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE

SYMBOLE

LIMITE

UNITÉ

Tension de Drain-source

VDS

-30

V

Tension de Porte-source

VGS

± 20

Courant continu de drain (TJ = °C) 150

Comité technique =25°C

Identification

-40 d

Comité technique =70°C

-40 d

VENTRES =25°C

-22,4 a, b

VENTRES =70°C

-17,9 a, b

Courant pulsé de drain

IDM

-70

Courant de diode continu de Source-drain

Comité technique =25°C

EST

-40 d

VENTRES =25°C

-4,5 a, b

Courant d'avalanche

L = 0,1 MH

IAS

30

Énergie monopulsée d'avalanche

EAS

45

MJ

Dissipation de puissance maximum

Comité technique =25°C

Palladium

48

W

Comité technique =70°C

30

VENTRES =25°C

5 a, b

VENTRES =70°C

3,2 a, b

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

TJ, Tstg

-55 à 150

°C

Recommandations de soudure (la température maximale) e, f

260

ESTIMATIONS DE RÉSISTANCE THERMIQUE

PARAMÈTRE

SYMBOLE

TYPIQUE

MAXIMUM

UNITÉ

A Jonction-à-ambiant maximum, c

 10 s de t

RthJA

20

25

°C/W

Jonction-à-cas maximum

Équilibré

RthJC

2,1

2,6
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